6di10a-120 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 6di10a-120 Datasheet
6di10a-120
Manufacturer Part Number
6di10a-120
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.6DI10A-120.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
6DI10A-120
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
24
Company:
Part Number:
6DI10A-120
Manufacturer:
SEMIKRON
Quantity:
387
Part Number:
6DI10A-120
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
6DI10A-120
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
Item
hFE
hFE が高い
hFE
hFE
hFE
絶縁形
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
絶縁形
絶縁形
ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ
ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ内蔵
ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ
ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ
ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ
ACﾓｰﾀ
ACﾓｰﾀ
ｴｱｺﾝ
ｴｱｺﾝ Air Conditioners
ｴｱｺﾝ
ACﾓｰﾀ
ACﾓｰﾀ
ACﾓｰﾀ制御
ｴｱｺﾝ
ｴｱｺﾝ
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
Item
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
電気的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
用途
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
特長
特長
が高い
が高い
が高い High DC Current Gain
が高い
制御
制御
制御
制御 AC Motor Controls
：
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
DC
DC
D C
six Transistors
1ms
1ms
one Transistor
内蔵
内蔵
内蔵
内蔵 Including Eree Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminals*2
R
R
R
C
B
BP
CP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CEO(SUS)
EBO
CBO
CEO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(10A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
-40 to +125
With Thermal Compound
Transistor
Diode
Test Conditions
I
I
I
V
V
-I
I
I
I
I
I
-Ic=10A,V
CBO
CEO
EBO
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
C
CBO
EBO
1200
1200
+150
2500
= 10A, V
= 10A, I
= 10A, PW=50 µ s
100
600
150
= 10A
= +0.5A , RL=60Ω
= -1.5A
=100mA
10
10
20
10
= 1mA
= 1mA
1.5
3
3.5
= 10V
= 1200V
-
-
B
BE
CE
= 0.5A
=-6V, -di/dt=50A/ µ s
= 5V
Unit
W
W
°C
°C
N･m
N･m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
Min.
Min.
1200
1200
12
70
2.5to3.0N･m[25to30kgf･cm](M5)
-
-
M604
M604
M604
M604
M604
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.05
-
Max. Units
100
Max.
15.0
2.5
1.25
1.0
2.0
2.5
3.5
3.0
3.0
0.6
Unit:mm
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
µs
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R
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IGBT(1200V 8A)
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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IGBT(600V,400A)
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IGBT MODULE ( S-Series )
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(600V 20A)
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