1di200ma-050 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1di200ma-050 Datasheet
1di200ma-050
Manufacturer Part Number
1di200ma-050
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.1DI200MA-050.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
1DI200MA-050
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
23
Company:
Part Number:
1DI200MA-050
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
1 000
Part Number:
1DI200MA-050
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
1DI200MA-050
Quantity:
50
1DI200MA-050
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
絶縁形
絶縁形
hFE
hFE
hFE が高い
絶縁形
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
hFE
hFE
ｽｲｯﾁﾝｸﾞｽﾋﾟｰﾄﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞｽﾋﾟｰﾄﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞｽﾋﾟｰﾄﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞｽﾋﾟｰﾄﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞｽﾋﾟｰﾄﾞが速い
大電力
大電力
大電力ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
大電力
大電力
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀにおける
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
Item
電気的特性
電気的特性
電気的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
用途
特長
特長
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
が高い
が高い
が高い
が高い High DC Current Gain
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ High Power Switching
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
における
における
における
におけるﾓｰﾀﾌﾞﾚｰｷ
：
Electrical characteristics (T
が速い
が速い
が速い
が速い H H H H High speed switching
: Maximum ratings and characteristic
DC
ﾓｰﾀﾌﾞﾚｰｷ
ﾓｰﾀﾌﾞﾚｰｷ
ﾓｰﾀﾌﾞﾚｰｷ
ﾓｰﾀﾌﾞﾚｰｷ用
D C
1ms
1ms
one Transistor
DC
用
用
用
用 Motor Brake in Inverter
Symbol
V
V
V
V
I
I
-Ic
I
I
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *2
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
-Ic=200A
I
I
I
I
誘導負荷
CBO
CEO
C
EBO
C
C
C
B1
Transistor
Fast Recovery Diode
-40 to +125
CBO
EBO
Test Conditions
(200A)
= 1A
= 200A, V
= 200A, I
= 200A
1000
+150
2500
= +0.1A, I
600
600
450
200
400
450
200
= 400mA
= 2mA
= 2mA
10
12
24
= 10V
= 600V
3.5
3.5
1.7
B
CE
B2
= 100mA
= 2.5V, Tj=125 °C
= -4.0A
Unit
°C
°C
N･m
N･m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
*2:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
450
2000
600
600
M104
M104
M104
M104
M104
2.5to3.5N･m[25to35kgf･cm](M5)
1.4to1.6N･m[14to16kgf･cm](M4)
2.5to3.5N･m[25to35kgf･cm](M5)
10
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
-
Typ.
Typ.
-
Max.
400
Max.
-
0.125
0.03
2.0
1.5
2.5
3.0
3.0
8.0
2.0
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(1200V 8A)
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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IGBT(600V,400A)
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IGBT MODULE ( S-Series )
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Page 1
... 1DI200MA-050 パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル ...
Page 2
... Characteristics 出力特性 出力特性 出力特性 出力特性 出力特性 Collector Output Characteristics 飽和電圧ー 飽和電圧ーｺ ﾚ ｸ ﾀ ...
Page 3
... 1DI200MA-050 (200A) ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ 時間ー ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ 時間ー ...