C105AJ-00 HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD], C105AJ-00 Datasheet

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C105AJ-00

Manufacturer Part Number
C105AJ-00
Description
NPN SILICON TRANSISTOR
Manufacturer
HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]
Datasheet
█ 芯片简介
█ 极限值
█ 电参数
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:C105AJ-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:1050×1050µm
焊位尺寸:B 极 230×230µm
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:2SD882,HS882,H882
I
I
h
V
V
C
f
T
T
P
P
V
V
V
I
I
参数符号
CBO
EBO
T
C
B
FE
ob
C
C
CE
BE
stg
j
CBO
CEO
EBO
——集电极电流 ……………………………………… 3A
——结温…………………………………………… 150℃
——基极电流…………………………………………0.6A
——集电极功率耗散(T
——集电极功率耗散(T
——贮存温度…………………………………-55~150℃
(sat)
(sat)
——集电极—发射极电压…………………………30V
——发射极—基极电压 ……………………………5V
——集电极—基极电压……………………………40V
汕头华汕电子器件有限公司
(T
(T
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
输出电容
特征频率
a
a
=25℃) (TO-126、TO-126ML)
=25℃) (TO-126、TO-126ML)
符 号 说 明
2
c
A
=25℃)……………………10W
2
=25℃)……………………1W
;E 极 170×170µm
最小值 典型值 最大值 单 位
60
2
N P N
882 晶体管芯片说明书
0.3
1.0
45
90
S I L I C O N
400
0.5
1
1
2
█ 芯片图
MHz
µA
µA
pF
V
V
T R A N S I S T O R
V
V
V
I
I
V
f=1MHz
V
C
C
CB
EB
CE
CB
CE
=2A,I
=2A,I
测 试 条 件
=5V,I
=2V,I
=5V,I
=30V,I
=10V,I
B
B
=0.2A
=0.2A
E
C
C
=0.1A
=0
=1A
E
E
=0
=0,

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