blv108 Shanghai Belling Co, Ltd, blv108 Datasheet

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blv108

Manufacturer Part Number
blv108
Description
N ??? MOSFET
Manufacturer
Shanghai Belling Co, Ltd
Datasheet
N N N N 沟纵向
描述
描述: : : :
描述
描述
产品应用:
产品应用:
产品应用:
产品应用:
工作条件
工作条件
工作条件
工作条件
热特性
热特性
热特性
热特性
R
电学特性
电学特性
电学特性
电学特性
符号
符号
符号
符号
http://www.belling.com.cn
V
BV
I
I
R
th j-a
GSS
DSS
GS
Tj, T
DS
沟纵向
沟纵向 MOSFET
沟纵向
符号
符号
符号
符号
DSS
(th
(on
V
V
I
P
DSS
GSS
电话机电路
继电器电路
驱动电路等
)
D
D
)
N 沟增强型 VDMOS,高速开关,无二次击穿
SDG
源漏击穿电压
零栅压时的漏极电流
栅和衬底之间的漏电流
阈值电压
导通电阻
T T T T
漏源电压
栅源电压
漏电流
Power Dissipation for Dual Operation
结温度和存储温度
Thermal Resistance, Junction to Ambient
MOSFET
MOSFET
MOSFET
A A A A
=25
=25
=25
=25
(T=25
(T=25℃ ℃ ℃ ℃ ) ) ) )
(T=25
(T=25
o o o o
C C C C
参数
参数
参数
参数
参数
参数
参数
参数
V
V
V
V
V
Total 2 Pages
GS
GS
GS
DS
DS
- 1 -
160
V
0
2
V
8 .
20
GS
测试条件
测试条件
测试条件
测试条件
V
,
V
V
,
I
,
I
,
,
D
D
I
V
V
D
GS
DS
10
1
mA
100
uA
0
0
V
V
mA
-55 to +150
最小 典型
最小
最小
最小
200
0.4
极限值
极限值
极限值
极限值
+ 20
200
300
125
1
典型 最大
典型
典型
BLV108
K/W
最大
最大
最大
+100
8/18/2006
1.8
单位
单位
单位
单位
1
5
mA
o
V
V
W
C
单位
单位
单位
单位
uA
nA
V
V

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blv108 Summary of contents

Page 1

... 100 Total 2 Pages BLV108 极限值 极限值 单位 单位 极限值 极限值 单位 单位 200 300 125 K/W 最小 典型 ...

Page 2

... Turn-On 时间 Turn-Off 时间 off http://www.belling.com.cn V =25V,V = 1MHz V =50V, I =250mA 10V Total 2 Pages BLV108 120 8/18/2006 ...

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