Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
switching applications.
•
•
•
w
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
MAXIMUM RATINGS (1)
THERMAL CHARACTERISTICS
ON Semiconductort
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006 − Rev. 3
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base voltage
Collector Current — Continuous
Base Current
Total Device Dissipation
Operating and Storage Junction
Thermal Resistance, Junction to Case
. . . designed for general−purpose amplifier and low frequency
These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein
apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at
www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or
contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
High DC Current Gain —
Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA
Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
@T
Derate above 25_C
Temperature Range
C
= 25_C
h
V
FE
CEO(sus)
Characteristic
= 3500 (Typ) @ I
Rating
Peak
= 80 Vdc (Min) — 2N6058
100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059
C
160
140
120
100
= 5.0 Adc
80
60
40
20
0
0
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Symbol
T
25
V
J
V
V
P
CEO
, T
Symbol
I
I
CB
EB
C
B
D
R
stg
θJC
50
Figure 1. Power Derating
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
2N6058
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
75
– 65 to + 200_C
80
80
0.857
1
150
5.0
0.2
12
20
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Rating
100
1.17
2N6052
2N6059
100
100
125
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
150
Watts
W/_C
_C/W
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Unit
_C
175
200
*ON Semiconductor Preferred Device
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
2N6052
2N6058
2N6059
Publication Order Number:
80 −100 VOLTS
DARLINGTON
12 AMPERE
150 WATTS
CASE 1−07
TO−204AA
SILICON
NPN
PNP
(TO−3)
2N6052/D
*
*