2N5302_06 ONSEMI [ON Semiconductor], 2N5302_06 Datasheet
2N5302_06
Manufacturer Part Number
2N5302_06
Description
High−Power NPN Silicon Transistor
Manufacturer
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet
1.2N5302_06.pdf
(5 pages)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2N5302
High−Power NPN Silicon
Transistor
and switching circuits applications.
Features
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Indicates JEDEC Registered Data.
2. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006− Rev. 2
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Collector Current − Continuous (Note 2)
Base Current
Total Device Dissipation @ T
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Case−to−Ambient
High−power NPN silicon transistors are for use in power amplifier
Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
Pb−Free Package is Available*
8.0
6.0
4.0
2.0
T
A
0
V
200
150
100
CE(sat)
T
50
C
0
0
Figure 1. Power Temperature Derating Curve
Characteristic
= 0.75 Vdc (Max) @ I
20
Rating
40
(Note 1) (T
60
C
TEMPERATURE (°C)
= 25_C
80
T
T
C
A
J
= 25°C unless otherwise noted)
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
100
C
= 10 Adc
Symbol
Symbol
T
120
V
J
V
q
q
P
CEO
, T
I
I
CA
CB
JC
C
B
D
stg
140
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
– 65 to + 200
160
Value
0.875
1.14
Max
200
7.5
60
60
30
34
180
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
200
1
W/_C
_C/W
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
2N5302
2N5302G
Device
POWER TRANSISTOR
60 VOLTS, 200 WATTS
ORDERING INFORMATION
2N5302 = Device Code
G
A
YY
WW
MEX
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
NPN SILICON
30 AMPERES
TO−204AA (TO−3)
= Pb−Free Package
= Location Code
= Year
= Work Week
= Country of Origin
(Pb−Free)
Package
CASE 1−07
TO−204
TO−204
2N5302G
STYLE 1
AYYWW
MEX
Publication Order Number:
100 Units/Tray
100 Units/Tray
Shipping
2N5302/D
Related parts for 2N5302_06
Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
300 Watt, SOT-23 Low Capacitance TVS for High Speed Line Protections
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
SWITCHMODE Power Rectifier
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET 12 A, 60 V
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P−Channel D2PAK
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode D2PAK
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
N-Channel Enhancement−Mode D2PAK
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
Part Number:
Description:
60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK
Manufacturer:
ONSEMI [ON Semiconductor]
Datasheet:
2N5302_06 Summary of contents
Page 1
High−Power NPN Silicon Transistor High−power NPN silicon transistors are for use in power amplifier and switching circuits applications. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − 0.75 Vdc (Max CE(sat) • Pb−Free Package is Available* Î ...
Page 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î ...
Page 3
D = 0.5 0.5 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0.05 0.07 0.05 0.02 0.01 0.03 SINGLE PULSE 0.02 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 100 5.0 ms 5302 5.0 1 ...
Page 4
T = 175°C J 200 25°C 100 70 50 −55 ° 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1.0 3 COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure 9. DC Current Gain ...
Page 5
0.13 (0.005 −Q− 0.13 (0.005) ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to ...