2N3055A_06 ONSEMI [ON Semiconductor], 2N3055A_06 Datasheet - Page 2

2N3055A_06

Manufacturer Part Number

2N3055A_06

Description

Complementary Silicon High-Power Transistors

Manufacturer

ONSEMI [ON Semiconductor]

Datasheet

1.2N3055A_06.pdf (6 pages)

Current page: 2 of 6
Download datasheet (90Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

2. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle v 2%.

3. Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS (Note 2)

SECOND BREAKDOWN (Note 3)

ON CHARACTERISTICS (Note 2 and 3)

DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 3)

SWITCHING CHARACTERISTICS (2N3055A only) (Note 3)

Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3)

Collector Cutoff Current

Collector Cutoff Current (Note 3)

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased

DC Current Gain

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter On Voltage

Current−Gain − Bandwidth Product

Output Capacitance

RESISTIVE LOAD

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(t = 0.5 s non−repetitive)

CEV

= 200 mAdc, I

= 4.0 Adc, V

= 10 Adc, V

= 4.0 Adc, I

= 10 Adc, I

= 15 Adc, I

= 4.0 Adc, V

= 1.0 Adc, V

= 30 Vdc, V

= 60 Vdc, V

= 7.0 Vdc, I

= 10 Vdc, I

= 150_C)

= Rated Value, V

= 60 Vdc)

= 3.3 Adc)

= 7.0 Adc)

= 400 mAdc)

BE(off)

= 0, f = 1.0 MHz)

= 4.0 Vdc)

= 0)

= 2.0 Vdc)

= 4.0 Vdc)

= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)

= 0)

= 0 Vdc)

BE(off)

2N3055A (NPN), MJ15015 (NPN), MJ15016 (PNP)

= 1.5 Vdc)

= 1.5 Vdc,

Characteristic

= 25°C unless otherwise noted)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

= 25 ms Duty Cycle v 2%

http://onsemi.com

= 30 Vdc, I

= I

MJ15015, MJ15016

2N3055A, MJ15015

= 0.4 Adc,

= 4.0 Adc,

2N3055A

MJ15016

Î Î Î Î Î

Symbol

CEO(sus)

CE(sat)

BE(on)

CEO

CEV

EBO

S/b

Î Î Î Î

1.95

Min

120

3.0

5.0

0.7

0.8

2.2

−

Î Î Î

Max

600

0.7

0.1

5.0

1.0

6.0

5.0

0.2

1.1

3.0

5.0

1.8

6.0

0.5

4.0

3.0

6.0

−

Î Î Î Î

mAdc

MHz

Unit

Vdc

Adc

Vdc

−

2N3055A_06 ONSEMI [ON Semiconductor], 2N3055A_06 Datasheet - Page 2

2N3055A_06

Related parts for 2N3055A_06