MJE13009_06 ONSEMI [ON Semiconductor], MJE13009_06 Datasheet - Page 2

MJE13009_06

Manufacturer Part Number

MJE13009_06

Description

12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS

Manufacturer

ONSEMI [ON Semiconductor]

Datasheet

1.MJE13009_06.pdf (10 pages)

Current page: 2 of 10
Download datasheet (149Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

2. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS (Note 2)

SECOND BREAKDOWN

ON CHARACTERISTICS (Note 2)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

SWITCHING CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Second Breakdown Collector Current with base forward biased

Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased

DC Current Gain

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Saturation Voltage

Current−Gain − Bandwidth Product

Output Capacitance

Resistive Load (Table 1)

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

Inductive Load, Clamped (Table 1, Figure 13)

Voltage Storage Time

Crossover Time

CEV

= 10 mA, I

= 5 Adc, V

= 8 Adc, V

= 5 Adc, I

= 8 Adc, I

= 12 Adc, I

= 8 Adc, I

= 5 Adc, I

= 8 Adc, I

= 500 mAdc, V

= 9 Vdc, I

= 10 Vdc, I

= Rated Value, V

= 1 Adc)

= 1.6 Adc)

= 1.6 Adc, T

= 1 Adc)

= 1.6 Adc)

= 1.6 Adc, T

= 0)

= 3 Adc)

= 0)

= 5 Vdc)

= 0, f = 0.1 MHz)

= 10 Vdc, f = 1 MHz)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

BE(off)

Duty Cycle v 1%)

Characteristic

= 8 A, V

= I

= 1.6 A, V

= 100_C)

= 1.5 Vdc)

= 1.5 Vdc, T

= 125 Vdc, I

= 1.6 A, t

clamp

BE(off)

= 300 Vdc,

= 25_C unless otherwise noted)

= 100_C)

= 8 A,

= 25 ms,

= 5 Vdc, T

http://onsemi.com

= 100_C)

MJE13009

Î Î Î Î

Symbol

CEO(sus)

CE(sat)

BE(sat)

CEV

EBO

S/b

−

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î

Min

400

−

Î Î Î

0.06

0.45

0.92

0.12

Typ

180

1.3

0.2

−

See Figure 1

See Figure 2

Î Î Î Î

Max

1.5

1.2

1.6

1.5

0.1

0.7

2.3

0.7

−

Î Î Î

mAdc

MHz

Unit

Vdc

MJE13009_06 ONSEMI [ON Semiconductor], MJE13009_06 Datasheet - Page 2

MJE13009_06

Related parts for MJE13009_06