LE UW E3B-PZQZ-ERFT OSRAM Opto Semiconductors Inc, LE UW E3B-PZQZ-ERFT Datasheet - Page 3

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LE UW E3B-PZQZ-ERFT

Manufacturer Part Number
LE UW E3B-PZQZ-ERFT
Description
LED High Power (> 0.5 Watts) Daylight White
Manufacturer
OSRAM Opto Semiconductors Inc
Datasheet

Specifications of LE UW E3B-PZQZ-ERFT

Power Rating
27 W
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
Q65110A7955
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
minimaler Durchlassstrom pro Chip
minimum Forward current per chip
(
maximaler Durchlassstrom pro Chip
maximum Forward current per chip
(
Stoßstrom
Surge current
Sperrspannung
Reverse voltage
(
Leistungsaufnahme pro Modul
Power consumption per modul
(
*
Kennwerte
Charakteristics
Bezeichnung
Parameter
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate
2009-08-11
T
T
T
T
Condensation on the module has to be avoided.
Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
10
board
board
board
board
μ
=25°C)
=25°C)
=25°C)
=25°C)
s, D = 0.1,
T
board
= 25 °C
3
Symbol
Symbol
T
T
T
I
I
I
V
P
Symbol
Symbol
R
F
F
FM
board, op
board, stg
j
R
tot
th JB
Werte
Values
Werte
Values
3
reverse operation
not designed for
– 40 … + 100
– 40 … + 100
1000
2000
150
100
27
LE UW E3B
Einheit
Unit
K/W
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
mA
mA
V
W

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