DDB6U215N16L Infineon Technologies, DDB6U215N16L Datasheet

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DDB6U215N16L

Manufacturer Part Number
DDB6U215N16L
Description
Discrete Semiconductor Modules 1600V 215A UN-CNTL
Manufacturer
Infineon Technologies
Type
Rectifier Diode Moduler
Datasheet

Specifications of DDB6U215N16L

Mounting Style
Through Hole
Package / Case
DDB6
Gate Trigger Current
10 mA
Packages
AG-ISOPACK-2
Vdrm/ Vrrm (v)
1,600.0 V
Ifsm (max)
1,850.0 A
Configuration
3 phase bridge rectifier uncontrolled
Housing
IsoPACK™
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
DDB6U215N16L
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
492
Part Number:
DDB6U215N16L
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
MOD-E1; R. Jörke
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Technische Information / Technical Information
Rectifier Diode Module
Netz-Dioden-Modul
09. Feb 99
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
pro Modul / per module,
pro Element / per chip,
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
pro Modul / per module
pro Element / per chip
vj
vj
C
A
A
A
A
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= - 40°C...T
= + 25°C...T
= 110°C
= 45°C, KM 11
= 45°C, KM 33
= 35°C, KM 14 (V
= 35°C, KM 33 (V
= 25°C, t
= T
= 25°C, t
= T
= T
= T
= T
= T
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max,
, t
, t
, i
v
S
S
p
p
F
R =
= 10ms
= 10ms
= 10ms
= 10ms
= 300A
vj max
V
vj max
RRM
L
L
= 45l/s)
= 90l/s)
A /99
= 120°rect
= 120°rect
V
V
I
I
I
I²t
v
V
r
i
V
R
R
T
T
T
FRMSM
d
FSM
R
T
F
RRM
RSM
(TO)
ISOL
vj max
c op
stg
thJC
thCK
Seite/page 1(7)
max.
max.
max. 0,082
max. 0,490
max. 0,065
max. 0,390
max. 0,033
max. 0,200
1200, 1400
1600, 1800
1300, 1500
1700, 1900
N
- 40...+150
- 40...+150
24200
19000
2200
1950
1,61
0,75
125
215
127
215
215
150
1,6
3,0
3,6
93
10
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
V
V
m
mA
kV
kV
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
B6

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Page 5

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Page 6

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Page 7

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Page 8

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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