TIP30CG ON Semiconductor, TIP30CG Datasheet - Page 3

TRANS PNP 1A 100V HI PWR TO220AB

TIP30CG

Manufacturer Part Number
TIP30CG
Description
TRANS PNP 1A 100V HI PWR TO220AB
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
Powerr
Datasheets

Specifications of TIP30CG

Transistor Type
PNP
Current - Collector (ic) (max)
1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
100V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (max)
300µA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
Power - Max
2W
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 (Straight Leads)
Transistor Polarity
PNP
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
100 V
Emitter- Base Voltage Vebo
5 V
Maximum Dc Collector Current
1 A
Power Dissipation
2 W
Continuous Collector Current
1 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
40
Current, Collector
1 A
Current, Gain
75
Frequency
3 MHz
Package Type
TO-220AB
Polarity
PNP
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction To Case
4.167 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter
100 V
Voltage, Collector To Base
100 V
Voltage, Collector To Emitter
100 V
Voltage, Collector To Emitter, Saturation
0.7 V
Voltage, Emitter To Base
5 V
Number Of Elements
1
Collector-emitter Voltage
100V
Collector-base Voltage
100V
Emitter-base Voltage
5V
Collector Current (dc) (max)
1A
Dc Current Gain (min)
40
Frequency (max)
3MHz
Operating Temp Range
-65C to 150C
Operating Temperature Classification
Military
Mounting
Through Hole
Pin Count
3 +Tab
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
TIP30CGOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
TIP30CG
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Part Number:
TIP30CG
Manufacturer:
ON
Quantity:
16 577
Company:
Part Number:
TIP30CG
Quantity:
2 500
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%
3. f
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Sustaining Voltage (I
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current (V
DC Current Gain
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
Base-Emitter On Voltage (I
Current-Gain - Bandwidth Product (Note 3)
Small-Signal Current Gain (I
T
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(I
C
= ⎪h
CE
CE
CE
CE
CE
CE
= 200 mAdc, V
fe
= 30 Vdc, I
= 60 Vdc, I
= 40 Vdc, V
= 60 Vdc, V
= 80 Vdc, V
= 100 Vdc, V
⎪• f
test
B
B
EB
EB
EB
(I
(I
= 0)
= 0)
CE
EB
C
C
= 0)
= 0)
= 0)
= 0.2 Adc, V
= 1.0 Adc, V
= 10 Vdc, f
= 0)
BE
C
= 5.0 Vdc, I
C
= 1.0 Adc, V
= 0.2 Adc, V
Characteristic
test
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
CE
CE
= 1.0 MHz)
C
= 4.0 Vdc)
= 4.0 Vdc)
C
C
(T
= 1.0 Adc, I
= 30 mAdc, I
= 0)
CE
C
CE
= 25°C unless otherwise noted)
= 4.0 Vdc)
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
TIP29B, TIP29C, TIP30B, TIP30C
TIP29, TIP29A, TIP30, TIP30A
B
B
= 125 mAdc)
= 0) (Note 2)
http://onsemi.com
TIP29C, TIP30C
TIP29C, TIP30C
TIP29A, TIP30A
TIP29B, TIP30B
TIP29A, TIP30A
TIP29B, TIP30B
3
TIP29, TIP30
TIP29, TIP30
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
Symbol
V
V
CEO(sus)
I
I
CE(sat)
I
BE(on)
h
CEO
CES
EBO
h
f
FE
T
fe
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Min
100
3.0
40
60
80
40
15
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Max
200
200
200
200
0.3
0.3
1.0
0.7
1.3
75
-
-
-
-
-
-
-
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
-
-

Related parts for TIP30CG