MJE13005 ON Semiconductor, MJE13005 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: MJE13005
• Description: TRANS PWR NPN 4A 400V TO220AB
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: SWITCHMODE™r

Specifications of MJE13005

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 4A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 400V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
• Power - Max: 2W
• Frequency - Transition: 4MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-220-3 (Straight Leads)
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant
• Current - Collector Cutoff (max): -
• Other names: MJE13005OS

Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Table 1. Typical Inductive Switching Performance
NOTE: All Data recorded in the inductive Switching Circuit In Table 2.
AMP
I
2
3
4
C
V
I
I
0.05
0.02
0.01
B
C
CE
Figure 7. Inductive Switching Measurements
0.5
0.2
0.1
1
0.04
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
100
100
100
T
_C
25
25
25
C
90% I
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
0.1
B1
600
900
650
950
550
850
t
ns
sv
t
I
r
C
Figure 8. Turn−On Time
t
sv
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
CPK
0.2
TIME
100
110
110
90% V
t
ns
70
60
70
rv
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
10% V
clamp
0.4
t
rv
100
240
140
330
160
350
ns
clamp
t
fi
t
c
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
I
T
RESISTIVE SWITCHING PERFORMANCE
C
90% I
J
CC
/I
= 25°C
B
t
fi
= 125 V
= 5
t
10%
d
C
I
130
100
100
160
CPK
ns
80
60
1
V
t
@ V
ti
clamp
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
t
BE(off)
ti
2% I
2
http://onsemi.com
180
320
200
350
220
390
= 5 V
ns
C
t
c
4
4
have been defined and apply to both current and voltage
waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power
supplies and hammer drivers, current and voltage
waveforms are not in phase. Therefore, separate
measurements must be made on each waveform to
determine the total switching time. For this reason, the
following new terms have been defined.
waveforms is shown in Figure 7 to aid in the visual identity
of these terms.
storage time and the predominant switching power losses
occur during the crossover interval and can be obtained
using the standard equation from AN−222:
this relationship may not be valid.
switching is specified at 25°C and has become a benchmark
for designers. However, for designers of high frequency
converter circuits, the user oriented specifications which
make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
switching speeds (t
0.5
0.3
0.2
0.1
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
An enlarged portion of the inductive switching
For the designer, there is minimal switching loss during
In general, t
As is common with most switching transistors, resistive
10
t
t
t
t
t
sv
rv
fi
ti
c
5
2
1
0.04
= Crossover Time, 10% V
= Current Tail, 10−2% I
= Current Fall Time, 90−10% I
= Voltage Rise Time, 10−90% V
= Voltage Storage Time, 90% I
SWITCHING TIMES NOTE
0.1
rv
+ t
I
C
Figure 9. Turn−Off Time
P
c
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
fi
t
SWT
and t
s
] t
0.2
t
f
= 1/2 V
sv
c
. However, at lower test currents
) which are guaranteed at 100_C.
C
clamp
CC
0.5
I
C
(t
B1
C
to 10% I
c
clamp
)f
to 10% V
1
V
I
T
C
CC
J
C
/I
= 25°C
B
= 125 V
= 5
2
clamp
4