BSM100GD120DN2 Infineon Technologies, BSM100GD120DN2 Datasheet
BSM100GD120DN2
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BSM 100 GD 120 DN2 IGBT Power Module • Solderable Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GD 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 100 ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 6.8 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 700 W 600 P 550 tot 500 450 400 350 300 250 200 150 100 ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 200 A 17V 15V 160 I 13V C 11V 140 9V 7V 120 100 ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter 100 A C puls 600 100 200 300 ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 200 A 160 I F 140 120 T =125°C j 100 0.0 0.5 1.0 ...
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BSM 100 GD 120 DN2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid with the ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...