FP10R12KE3 Infineon Technologies, FP10R12KE3 Datasheet

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FP10R12KE3

Manufacturer Part Number
FP10R12KE3
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FP10R12KE3

Channel Type
N
Configuration
Array 7
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Packages
AG-EASY2-1
Ic (max)
10.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Technology
IGBT3
Housing
EasyPIM™ 2
Lead Free Status / Rohs Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FP10R12KE3
Quantity:
530
Part Number:
FP10R12KE3
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FP10R12KE3
Quantity:
108
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
T
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication: 2002-02-14
revision: 6
FP10R12KE3
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
C
R
vj
C
C
C
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
=25°C
=25°C
= 25°C
=25°C
= 25°C
=80°C
=80°C
= 80°C
= 25 °C
= 0V, t
= 80 °C
= 25 °C
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
25°C
25°C
vj
T
C
= 125°C
1(12)
=80°C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
C,nom.
I
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
RRM
I
I
CES
I
GES
CES
I
GES
I
I
2
2
C
F
C
F
tot
tot
t
t
Vorläufig
Preliminary
+/- 20V
+/- 20V
1600
1200
1200
196
158
192
125
25
36
10
15
20
55
10
20
20
10
15
20
55
10
20
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FP10R12KE3 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Thomas Passe approved by: Ingo Graf FP10R12KE3 T =25° =80° =80° ms 25°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FP10R12KE3 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FP10R12KE3 T = 25° 0V 25° 0V 125° ...

Page 4

... Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder mounting force per clamp Gewicht weight Kontakt - Kühlkörper terminal to heatsink Terminal - Terminal terminal to terminal FP10R12KE3 l Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans. Wechsr./ Trans. Inverter l =1W/m*K grease Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans ...

Page 5

... Output characteristic Inverter (typical 25° 125° 0,00 0,50 1,00 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical 11V 14 13V 15V 12 17V 10 19V 0,00 0,50 1,00 FP10R12KE3 1,50 2,00 2, 125°C vj 1,50 2,00 2,50 V [V] CE 5(12) Vorläufig Preliminary 3,00 3,50 3,00 3,50 ...

Page 6

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical 25° 125° Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical 25° 125° 0,5 FP10R12KE3 [ 1 [V] F 6(12) Vorläufig Preliminary ) 2,5 3 ...

Page 7

... IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 5 Eon 4,5 Eoff 4 Erec 3,5 3 2,5 2 1 Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 3 Eon 2,5 Eoff Erec 2 1,5 1 0,5 0 100 120 FP10R12KE3 off C rec T = 125° ± [ off 125°C, V ...

Page 8

... IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 10,000 Zth-IGBT Zth-FWD 1,000 0,100 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA 200 400 FP10R12KE3 (t) thJH IGBT: r [K/W]: 169,8e-3 850,1e [s]: 3e-6 78,7e-3 i FWD: r [K/W]: 245,4e-3 1, [s]: ...

Page 9

... IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,00 0,50 1,00 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 25° 125° 0,5 1 FP10R12KE3 I C 1,50 2,00 2, 1,5 2 2,5 V [V] F 9(12) Vorläufig Preliminary = 3,00 3, 3,5 ...

Page 10

... Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical 25° 150° 0,2 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 FP10R12KE3 0,4 0,6 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(12) Vorläufig Preliminary ) F 1 1,2 120 ...

Page 11

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltplan/ Circuit diagram Gehäuseabmessungen/ Package outlines Bohrplan / drilling layout FP10R12KE3 J 11(12) Vorläufig Preliminary ...

Page 12

... Gehäuseabmessungen Forts. / Package outlines contd. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. FP10R12KE3 12(12) ...

Page 13

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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