2DI30Z-100 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2DI30Z-100 Datasheet

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2DI30Z-100

Manufacturer Part Number
2DI30Z-100
Description
POWER TRANSISTOR MODULE
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
2DI30Z-100
Manufacturer:
MITSUBISHI
Quantity:
134
Part Number:
2DI30Z-100(A)
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
1 000
2DI30Z-100
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形 
絶縁形 
ASO
ASO
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
高耐圧
高耐圧
高耐圧
高耐圧
高耐圧 High Voltage
ASO
ASO
ASO が広い
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵
DCモータ
DCモータ
ACモータ
ACモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御 
ACモータ
ACモータ制御 
ACモータ
熱 抵 抗
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
Item
大電力
大電力
大電力
大電力
大電力スイッチング
電気的特性
電気的特性
電気的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途
用途
用途: : : : : Applications
特長
特長
特長: : : : : Features
特長
特長
が広い
が広い
が広い
が広い Excellent Safe Operating Area
制御 
制御 
制御 
制御 DC Motor Controls
制御 
制御 
制御 AC Motor Controls
制御 
スイッチング
スイッチング
スイッチング
スイッチング High Power Switching
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
 DC
DC
two Transistor
D C
1ms
1ms
one Transistor
内蔵
内蔵
内蔵
内蔵 Including Tree Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(30A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
-40 to +125
Transistor
Test Conditions
I
I
V
I
V
V
-Ic = 30A
I
I
I
I
I
I
-Ic=30A,V
Recovery Diode
CBO
CEO
EBO
C
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
BE
CBO
EBO
1000
1000
+150
2500
= 30A, V
= 30A, V
= 30A, I
= 30A
300
600
175
= +0.4A
= -0.6A
= -3V
10
30
60
30
= 1mA
= 1mA
= 200mA
2
4
3.5
3.5
= 10V
= 1000V
-
B
BE
CE
CE
= 0.4A
=-6V, -di/dt=30A/ µ s
= 2.5V, Tj=125 °C
= 5V
Unit
°C
°C
N・m
N・m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
UL
UL
UL
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1000
1000
-
1000
100
75
10
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
M204
M204
M204
M204
M204
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.06
-
200
Max.
Max.
0.4
1.5
12.0
1.0
1.8
2.8
3.5
2.5
2.0
0.7
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
[mm]
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