2DI50D-050A Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2DI50D-050A Datasheet

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2DI50D-050A

Manufacturer Part Number
2DI50D-050A
Description
POWER TRANSISTOR MODULE
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
2DI50D-050A
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
23
Part Number:
2DI50D-050A
Manufacturer:
MITSUBISHI
Quantity:
300
Part Number:
2DI50D-050A
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
2DI50D-050A
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
 無停電電源装置 
 無停電電源装置 
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形 
絶縁形 
大電流
大電流
大電流
大電流
大電流 High Current
hFE
hFE
hFE が高い 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
hFE
hFE
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御 
熱 抵 抗
溶接機 
溶接機 
溶接機 
溶接機 
溶接機 Welding Machines
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
Item
大電力
大電力
大電力スイッチング
大電力
大電力
電気的特性
電気的特性
電気的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
用途
特長
特長
特長: : : : : Features
特長
特長
が高い 
が高い 
が高い 
が高い High DC Current Gain
制御 
制御 
制御 
制御 DC Motor Controls
スイッチング
スイッチング
スイッチング High Power Switching
スイッチング
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
 DC
DC
two Transistor
D C
1ms
1ms
one Transistor
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
c
(50A)
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
-40 to +125
Transistor
Diode
Test Conditions
I
I
I
I
I
V
V
-Ic = 50A
I
I
I
I
I
-Ic=50A,V
CBO
CEO
C
C
EBO
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
CBO
EBO
+150
2500
=100A, V
= 1A
= 50A, V
= 50A, I
= 50A, V
600
600
450
100
310
620
175
= +1A, R
= -1A
50
50
= 1mA
= 1mA
= 200mA
7
3
6
3.5
3.5
= 600V
= 7V
B
BE
EB
CE
CE
L
= 1A
=-6V, -di/dt=50A/ µ s
=6
=6V, -I
=300V
= 5V
Unit
B2
°C
°C
N・m
N・m
=1A
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
UL
UL
UL
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
450
500
600
600
100
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
7
M208
M208
M208
M208
M208
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.05
-
200
Max.
12.0
Max.
0.4
1.3
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
0.6
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
1

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