SCH2810 Sanyo Semiconductor Corporation, SCH2810 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: SCH2810
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

100
1.0
--10
1.0
0.1
10
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
--0.01
0
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
V DS = --10V
I D = --1.3A
2
2
20
3
3
Ambient Temperature, Ta -- C
40
5 7
5 7
1
Total Gate Charge, Qg -- nC
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
--0.1
--0.1
60
V GS -- Qg
t d (on)
P D -- Ta
y
fs -- I D
2
2
80
2
3
3
5 7
5 7
100
--1.0
--1.0
120
3
V DD = --10V
V GS = --10V
V DS = --10V
2
[MOSFET]
[MOSFET]
2
[MOSFET]
[MOSFET]
140
3
3
IT05621
IT09289
IT05617
IT05619
5 7
5 7
160
SCH2810
4
--0.01
--0.01
--1.0
--1.0
--0.1
--0.1
100
--10
10
--0.01
5
3
2
7
5
2
7
5
3
2
--0.4
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
0
V GS =0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
3
--2
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
5 7
--0.6
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--0.1
--4
I F -- V SD
2
A S O
3
--0.8
--6
5 7
--1.0
2
--8
0.8mm) 1unit
2
--1.0
3
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
--10
5 7
No.8246-4/6
f=1MHz
<10 s
--10
IT05618
IT05620
IT09288
--1.2
--12
2