VEC2819 Sanyo Semiconductor Corporation, VEC2819 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: VEC2819
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--4.5V
P.G
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
160
140
120
100
0V
80
60
40
20
PW=10µs
D.C.≤1%
0
0
0
0
V IN
--0.1
--1
--0.2
V IN
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
G
50Ω
--0.3
--3
R DS (on) -- V GS
--0.4
V DD = --10V
I D -- V DS
--4
D
--0.5
S
--5
I D = --2A
R L =5Ω
VEC2819
--0.6
--6
V OUT
--0.7
--7
--0.8
--8
[MOSFET]
[MOSFET]
Ta=25 ° C
--0.9
--9
IT11954
IT11827
VEC2819
--1.0
--10
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty≤10%
10µs
160
140
120
100
80
60
40
20
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--60
50Ω
0
0
V DS = --10V
--40
--0.2
--5V
--20
--0.4
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
100Ω
Case Temperature, Tc -- °C
0
--0.6
R DS (on) -- Tc
20
--0.8
I D -- V GS
40
10Ω
--1.0
60
--1.2
80
--1.4
100
No. A0536-3/6
--1.6
t rr
120
[MOSFET]
[MOSFET]
--1.8
140
IT06417
IT11828
--2.0
160