sch2809 Sanyo Semiconductor Corporation, sch2809 Datasheet - Page 3
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/5/586/sanyo_semiconductor_corporation_sml.jpg)
sch2809
Manufacturer Part Number
sch2809
Description
Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
Manufacturer
Sanyo Semiconductor Corporation
Datasheet
1.SCH2809.pdf
(6 pages)
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--4.5V
P.G
0V
--1.5
--1.2
--0.9
--0.6
--0.3
800
700
600
500
400
300
200
100
PW=10 s
D.C. 1%
0
0
0
0
V IN
I D = --0.4A
--1
V IN
--0.1
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
G
50
--2
--0.6A
R DS (on) -- V GS
V DD = --6V
--3
--0.2
I D -- V DS
D
S
--4
I D = --0.8A
R L =7.5
SCH2809
--0.3
--5
V OUT
--6
--0.4
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
Ta=25 C
--7
IT07144
IT07142
SCH2809
--0.5
--8
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty 10%
10 s
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
50
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
--60
0
--40
--5V
--0.5
--20
100
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
0
--1.0
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
10
40
--1.5
60
80
--2.0
100
No. A0446-3/6
t rr
V DS = --6V
120
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
--2.5
140
IT04354
IT07143
--3.0
160