2di50a-120 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2di50a-120 Datasheet
2di50a-120
Manufacturer Part Number
2di50a-120
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.2DI50A-120.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
2DI50A-120
Manufacturer:
AMBIT
Quantity:
530
Part Number:
2DI50A-120
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
2DI50A-120
Quantity:
50
2DI50A-120
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形
絶縁形
hFE
hFE が高い
hFE
高速
高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
高速
ASO
ASO
ASO が広い
ASO
ASO
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
絶縁形
hFE
hFE
高速
高速
ACﾓｰﾀ
ACﾓｰﾀ
ACﾓｰﾀ制御
ACﾓｰﾀ
ACﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ制御
DCﾓｰﾀ
DCﾓｰﾀ
無停電電源
無停電電源
無停電電源 Uninterruptible Power Supply
熱 抵 抗
無停電電源
無停電電源
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
Item
大電力
大電力ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
大電力
電気的特性
電気的特性
電気的特性
大電力
大電力
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
用途
特長
特長
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
が高い
が高い
が高い High DC Current Gain
が高い
が広い
が広い
が広い
が広い Excellent Safe OperatingArea
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ High Speed Switching
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
制御
制御
制御 AC Motor Control
制御
制御
制御
制御 DC Motor Control
制御
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ Power Switching
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ
：
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
DC
DC
two Transistor
D C
1ms
1ms
one Transistor
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(50A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
-40 to +125
Transistor
Diode
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
-I
I
I
I
I
I
-Ic=50A,V
CBO
C
C
EBO
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
C
CBO
EBO
1200
1200
+150
2500
=50A -I
= 1mA
= 50A, V
= 50A, I
= 50A, Pw=500 µs
100
400
800
265
= +1.5A
= 50A
= -4.5A
10
50
50
= 1mA
= 100mA
3
6
3.5
3.5
= 10V
= 1200V
-
B
B
BE
=-4.5A
CE
= 1A
=-6V, -di/dt=50A/ µ s
= 5V
Unit
°C
°C
N･m
N･m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
UL
UL
UL
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1200
1200
1200
10
70
2.5to3.0N･m[25to30kgf･cm](M5)
M206
M206
M206
M206
M206
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.06
-
100
Max.
Max.
0.9
15.0
0.05
1.0
2.0
2.5
3.5
3.0
3.0
0.6
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
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R
Part Number:
Description:
Power Transistor Module
Manufacturer:
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER TRANSISTOR MODULE
Manufacturer:
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER TRANSISTOR MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(1200V 8A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(600V,400A)
Manufacturer:
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet:
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IGBT MODULE ( S-Series )
Manufacturer:
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER DIODE MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(600V 20A)
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