D260AG-00 HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD], D260AG-00 Datasheet

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D260AG-00

Manufacturer Part Number
D260AG-00
Description
NPN SILICON TRANSISTOR
Manufacturer
HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]
Datasheet
█ 芯片简介
█ 极限值
█ 电参数
BV
I
h
V
V
C
f
t
t
t
T
T
P
V
V
V
I
I
I
ON
STG
F
EBO
T
参数符号
C
B
FE
C
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D260AG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:2600×2600µm
焊位尺寸:B 极 366×540µm
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:KSE13005,HE13005
ob
C
CE
BE
stg
j
CBO
CEO
EBO
——结温………………………………………………… 150℃
——集电极电流(DC)…………………………………… 4A
——集电极电流(脉冲)………………………………… 8A
——基极电流…………………………………………………2A
——集电极功率耗散(T
CEO
(sat)
(sat)
——贮存温度…………………………………… -55~150℃
——集电极—发射极电压…………………………… 400V
——发射极—基极电压………………………………… 9V
——集电极—基极电压……………………………… 700V
(sus)
汕头华汕电子器件有限公司
(T
(T
集电极—发射极维持电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
共基极输出电容
特征频率
导通时间
载流子贮存时间
下降时间
a
a
=25℃) (封装形式:TO-220)
=25℃) (封装形式:TO-220)
符 号 说 明
2
c
=25℃)……………………… 75W
2
,E 极 292×560µm
*
*
最小值 典型值 最大值 单 位
400
10
4
8
2
N P N
13005 晶体管芯片说明书
65
S I L I C O N
0.5
0.6
1.2
1.6
0.8
0.9
40
40
█ 管芯示意图
1
1
4
MHz
mA
pF
µs
µs
µs
V
V
V
V
V
V
T R A N S I S T O R
I
V
V
V
I
I
I
I
I
V
V
C
C
C
C
C
C
EB
CE
CE
CB
CE
=10mA,I
=1A,I
=2A,I
=4A,I
=1A,I
=2A,I
测 试 条 件
V
I
=9V,I
=5V,I
=5V,I
=10V,I
=10V,f=0.1MHz
B1
CC
=-I
=125V,I
B2
B
B
B
B
B
=0.2A
=0.5A
=1A
=0.2A
=0.5A
=0.4A
C
C
C
B
=0
=1A
=2A
C
=0
=0.5A
C
=2A,

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