PDMB75A6_1 NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation], PDMB75A6_1 Datasheet

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PDMB75A6_1

Manufacturer Part Number
PDMB75A6_1
Description
75 A 600 V
Manufacturer
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet
■回路図 CIRCUIT
■最大定格 Maximum Ratings(T
■電気的特性 Electrical Characteristics(T
C2E1
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間)
Isolation Voltage ( Terminal to Base, AC1min.)
締付トルク
Mounting Torque
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
IGBT
Characteristic
項   目
項   目
E2
Item
ベース取付部
Module Base to Heatsink
端子部
Busbar to Terminal
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
Turn-On Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
DC
1ms
C
Symbol
Symbol
=25℃)
V
V
V
V
記号
記号
T
V
F
I
I
CE ( sat)
C
GE ( th)
I
t
P
t
T
CES
GES
I
CES
GES
t
t
CP
off
75 A 600 V
on
stg
tor
ies
C
iso
C
r
f
j
C1
G2
E2
E1
G1
V
V
I
V
V
V
R
R
V
C
C
=25℃)
L
G
CE
GE
CE
CE
CC
GE
=75A, V
=4Ω
=10.0Ω
=600V, V
=±20V, V
=5V, I
=10V, V
=300V
=±15V
─ 374 ─
Test Conditions
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
条   件
C
GE
=75mA
GE
=15V
GE
=0V, f=1MHz
CE
=0V
=0V
Rated Value
−40∼+150
−40∼+125
定 格 値
2(20.4)
±20
2500
600
150
320
75
最小
Min.
4.0
標準
Typ.
7500
2.1
0.15
0.25
0.2
0.45
PDMB75A6
(単位 Dimension:mm)
Max.
最大
500
1.0
2.6
8.0
0.3
0.4
0.35
0.7
(kgf ・ cm)
V
(RMS)
N ・ m
単位
Unit
単位
Unit
mA
nA
pF
μ s
W
V
V
A
V
V

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PDMB75A6_1 Summary of contents

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IGBT ■回路図 CIRCUIT C2E1 E2 ■最大定格 Maximum Ratings(T 項   目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage DC コレクタ電流 Collector Current 1ms コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間) Isolation Voltage ( Terminal to Base, AC1min.) ...

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Wheeling Diode Ratings & Characteristics(T 項   目 Item DC 順電流 Forward Current 1ms 項   目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time ■熱的特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic IGBT 熱抵抗 Thermal Impedance Diode 記号 定 格 値 Symbol Rated Value ...

Page 3

Fig. 1 Output Characteristics(Typical) Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical) Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage(Typical) Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time(Typical) Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage ...

Page 4

Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance (Typical) Fig. 11 Transient Thermal Impedance Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area ─ 377 ─ ...

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