D50XB80-7000 Shindengen, D50XB80-7000 Datasheet

D50XB80-7000

Manufacturer Part Number

D50XB80-7000

Description

Bridge Rectifiers 50 Amp 800 Volt

Manufacturer

Shindengen

Datasheet

1.D50XB80-7000.pdf (2 pages)

Specifications of D50XB80-7000

Product

Single Phase Bridge

Peak Reverse Voltage

800 V

Max Surge Current

600 A

Forward Voltage Drop

1.05 V

Maximum Reverse Leakage Current

10 uA

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

45.7 mm

Width

7.5 mm

Height

27 mm

Mounting Style

Through Hole

Package / Case

SIP-4

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

D50XB80-7000

Manufacturer:

NANYA

Quantity:

917

Company:

BOSTOCK HK LIMITED

Part Number:

D50XB80-7000

Manufacturer:

SHINDENGEN

Quantity:

1 000

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Bridge Diode

• 薄型 S

• UL E142422

• 高耐圧・高

• 大電流容量

• 高放熱伝導性

• Thin-S

• UL E142422

• High Voltage・Large

• Large

• High Thermal Radiation

■定格表 RATINGS

●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（

●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（

Feature

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

電流二乗時間積

Current Squared Time

絶縁耐圧

Dielectric Strength

締め付けトルク

Mounting Torque

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

特長

（J534）

P パッケージ

D50XB80

項目

FSM

Item

800V 50A

FSM

Symbol

記号

TOR

Vdis

θja

θjc

FSM

stg

大容量シングルインライン型

（推奨値：1.2 N・m）

（Recommended torque : 1.2 N・m）

Conditions

1ms≦t＜10ms，

接合部・ケース間

Junction to Case

接合部・周囲間

Junction to Ambient

50Hz 正弦波，抵抗負荷

50Hz sine wave, Resistance load

50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，

一素子当たりの規格値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value,

per diode，Tj=25℃

一括端子・ケース間，AC１分間印加

モールド部上面（端子と平行面）は除く

Terminals to Case, AC 1 minute

Except top（opposite side of the terminal side）of the mold case.

F =

R =

条件

Large I o Single In-line Package

25A,

800V,

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

１素子当たりの規格値

per diode

指定のない場合は

■外観図 OUTLINE

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

Package：TSB-4PIN

フィン付き

With heatsink

フィンなし

Without heatsink

＋

①

Tc=25℃／

∼

②

Tc=25℃／

∼

④

ロット記号（例）

−

⑤

Date code

管理番号（例）

Control No.

品名

Type No.

品名

Tc = 95℃

Ta = 26℃

unless otherwise speci

＋

①

SHINDENGEN

∼

D50XB 80

②

45.7

−40∼150

0264

D50XB80

MAX

1800

∼

50.0

150

800

600

4.6

2.0

1.5

④

1.05

0.5

−

Weight : 22g （ typ.）

⑤

）

Unit : mm

N・m

℃/W

単位

Unit

μA

7.5

℃

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... Control No. 20 ロット記号（例） ① ② ④ ⑤ Date code ） unless otherwise speci 品名単位 D50XB80 Type No. Unit −40∼150 150 800 50 95℃ 4 26℃ 600 1800 A 2 ...

Page 2

... Large Io SIP UL Bridge ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS D50XB80 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。＊＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 ...

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