Description:
The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type
package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regu-
lators, converters, solenoid, and relay drivers.
Features:
D Silicon Gate for Fast Switching Speeds
D Rugged – SOA is Power Dissipation Limited
D Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
Absolute Maximim Ratings:
Drain–Source Voltage, V
Drain–Gate Voltage (R
Gate–Source Voltage, V
Drain Current, I
Total Power Dissipation (T
Operating Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T
Continuous
Pulsed
NTE2380
NTE2381
NTE2380
NTE2381
NTE2380
NTE2381
NTE2380
NTE2381
NTE2380
NTE2381
NTE2380
NTE2381
NTE2380
NTE2381
Derate Above 25 C
Derate Above 25 C
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Enhancement Mode, High Speed Switch
Complementary Silicon Gate MOSFETs
GS
NTE2380 (N–Ch) & NTE2381 (P–Ch)
GS
DSS
= 1M ), V
C
= +25 C), P
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
stg
opr
DGR
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
thJC
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
L
–55 to +150 C
–65 to +150 C
–55 to +150 C
–65 to +150 C
0.32W/ C
62.5 C/W
3.12 C/W
1.67 C/W
0.6W/ C
+300 C
+275 C
500V
500V
2.5A
2.0A
40W
75W
20V
10A
8A