TIP29CG ON Semiconductor, TIP29CG Datasheet - Page 3
TIP29CG
Manufacturer Part Number
TIP29CG
Description
TRANS NPN 1A 100V HI PWR TO220AB
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
Powerr
Specifications of TIP29CG
Transistor Type
NPN
Current - Collector (ic) (max)
1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
100V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (max)
300µA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
Power - Max
2W
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 (Straight Leads)
Transistor Polarity
NPN
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
100 V
Emitter- Base Voltage Vebo
5 V
Maximum Dc Collector Current
1 A
Power Dissipation
2 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current
1 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
40
Maximum Operating Frequency
3 MHz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Current, Collector
1 A
Current, Gain
75
Frequency
3 MHz
Package Type
TO-220AB
Polarity
NPN
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction To Case
4.167 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter
100 V
Voltage, Collector To Base
100 V
Voltage, Collector To Emitter
100 V
Voltage, Collector To Emitter, Saturation
0.7 V
Voltage, Emitter To Base
5 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
TIP29CGOS
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
TIP29CG
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
1 400
Part Number:
TIP29CG
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%
3. f
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Sustaining Voltage (I
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current (V
DC Current Gain
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
Base-Emitter On Voltage (I
Current-Gain - Bandwidth Product (Note 3)
Small-Signal Current Gain (I
T
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(I
C
= ⎪h
CE
CE
CE
CE
CE
CE
= 200 mAdc, V
fe
= 30 Vdc, I
= 60 Vdc, I
= 40 Vdc, V
= 60 Vdc, V
= 80 Vdc, V
= 100 Vdc, V
⎪• f
test
B
B
EB
EB
EB
(I
(I
= 0)
= 0)
CE
EB
C
C
= 0)
= 0)
= 0)
= 0.2 Adc, V
= 1.0 Adc, V
= 10 Vdc, f
= 0)
BE
C
= 5.0 Vdc, I
C
= 1.0 Adc, V
= 0.2 Adc, V
Characteristic
test
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
CE
CE
= 1.0 MHz)
C
= 4.0 Vdc)
= 4.0 Vdc)
C
C
(T
= 1.0 Adc, I
= 30 mAdc, I
= 0)
CE
C
CE
= 25°C unless otherwise noted)
= 4.0 Vdc)
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
TIP29B, TIP29C, TIP30B, TIP30C
TIP29, TIP29A, TIP30, TIP30A
B
B
= 125 mAdc)
= 0) (Note 2)
http://onsemi.com
TIP29C, TIP30C
TIP29C, TIP30C
TIP29A, TIP30A
TIP29B, TIP30B
TIP29A, TIP30A
TIP29B, TIP30B
3
TIP29, TIP30
TIP29, TIP30
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
Symbol
V
V
CEO(sus)
I
I
CE(sat)
I
BE(on)
h
CEO
CES
EBO
h
f
FE
T
fe
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Min
100
3.0
40
60
80
40
15
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Max
200
200
200
200
0.3
0.3
1.0
0.7
1.3
75
-
-
-
-
-
-
-
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
-
-