MJE200G ON Semiconductor, MJE200G Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MJE200G
• Description: TRANS PWR NPN 5A 25V TO225AA
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Type: Powerr

Specifications of MJE200G

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 5A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 40V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
• Power - Max: 15W
• Frequency - Transition: 65MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-225-3
• Transistor Polarity: NPN
• Mounting Style: Through Hole
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 25 V
• Emitter- Base Voltage Vebo: 8 V
• Maximum Dc Collector Current: 5 A
• Power Dissipation: 15 W
• Maximum Operating Temperature: + 150 C
• Continuous Collector Current: 5 A
• Dc Collector/base Gain Hfe Min: 70
• Maximum Operating Frequency: 65 MHz
• Minimum Operating Temperature: - 65 C
• Current, Collector: 5 A
• Current, Gain: 10
• Frequency: 65 MHz
• Package Type: TO-225
• Polarity: NPN
• Primary Type: Si
• Resistance, Thermal, Junction To Case: 8.34 °C/W
• Voltage, Breakdown, Collector To Emitter: 40 V
• Voltage, Collector To Base: 25 V
• Voltage, Collector To Emitter: 40 V
• Voltage, Collector To Emitter, Saturation: 1.8 V
• Voltage, Emitter To Base: 8 V
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Current - Collector Cutoff (max): -
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: MJE200GOS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle [ 2.0%.
2. f
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain (Note 1)
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Base-Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Base-Emitter On Voltage (Note 1)
Current-Gain - Bandwidth Product (Note 2)
Output Capacitance
T
(I
(V
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(V
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
= ⎪h
CB
CB
BE
CB
= 10 mAdc, I
= 500 mAdc, V
= 2.0 Adc, V
= 5.0 Adc, V
= 500 mAdc, I
= 2.0 Adc, I
= 5.0 Adc, I
= 5.0 Adc, I
= 2.0 Adc, V
= 100 mAdc, V
= 8.0 Vdc, I
= 40 Vdc, I
= 40 Vdc, I
= 10 Vdc, I
fe
⎪• f
test
.
B
B
B
CE
CE
CE
B
E
E
E
= 200 mAdc)
= 1.0 Adc)
= 1.0 Adc)
C
B
= 0)
= 0)
= 0, T
CE
CE
= 0, f = 0.1 MHz)
= 0)
= 1.0 Vdc)
= 2.0 Vdc)
= 1.0 Vdc)
= 50 mAdc)
= 1.0 Vdc)
= 10 Vdc, f
J
= 125_C)
Characteristic
test
8.0
4.0
16
12
0
20
= 10 MHz)
(T
MJE200 - NPN,
C
= 25_C unless otherwise noted)
40
Figure 1. Power Derating
60
http://onsemi.com
T, TEMPERATURE (°C)
80
2
100
MJE210 - PNP
MJE200
MJE210
120
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
140
V
Symbol
V
V
V
CEO(sus)
I
CE(sat)
BE(sat)
I
BE(on)
h
C
CBO
EBO
f
FE
T
ob
160
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Min
25
70
45
10
65
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Max
0.75
100
100
100
180
120
0.3
1.8
2.5
1.6
80
-
-
-
-
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
nAdc
mAdc
nAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
-