Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
BDV65B (NPN),
BDV64B (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Darlingtons
amplifier applications.
•
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
September, 2008 − Rev. 13
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Device Dissipation @ T
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction Temperature
Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
. . . for use as output devices in complementary general purpose
High DC Current Gain − HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc
Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistors
Pb−Free Packages are Available*
Characteristic
Rating
− Continuous
− Peak
C
= 25_C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
R
J
V
V
P
CEO
, T
I
I
qJC
CB
EB
C
B
D
stg
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
–65 to
+150
Max
Max
100
100
125
5.0
0.5
1.0
1.0
10
20
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
W/_C
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
BDV65B
BDV65BG
BDV64B
BDV64BG
BASE
1
COMPLEMENTARY SILICON
1
10 AMPERE DARLINGTON
Device
2
A
Y
WW
G
BDV6xB
POWER TRANSISTORS
60−80−100−120 VOLTS,
3
ORDERING INFORMATION
COLLECTOR 2
EMITTER 3
BDV65B
NPN
http://onsemi.com
125 WATTS
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
= Device Code
CASE 340D
(TO−218)
x = 4 or 5
SOT−93
(Pb−Free)
(Pb−Free)
Package
SOT−93
SOT−93
SOT−93
SOT−93
Publication Order Number:
BASE
1
COLLECTOR 2,4
EMITTER 3
30 Units / Rail
30 Units / Rail
30 Units / Rail
30 Units / Rail
BDV64B
MARKING
DIAGRAM
Shipping
BDV6xBG
PNP
BDV65B/D
AYWW