ECH8668-TL-H ON Semiconductor, ECH8668-TL-H Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: ECH8668-TL-H
• Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: -r

Specifications of ECH8668-TL-H

• Fet Type: N and P-Channel
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V
• Drain To Source Voltage (vdss): 20V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 7.5A, 5A
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V
• Power - Max: 1.5W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 8-SMD
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant

1000
100
140
120
100
1.0
0.1
10
10
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
--0.01
--0.01
0
0
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
0
0
I D = --0.5A
--0.1
2
2
--1
3
3
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
5 7
--2
--3.0A
--0.3
--1.5A
R DS (on) -- V GS
--0.1
Drain Current, I D -- A
--0.1
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
--3
|
--0.4
I D -- V DS
y
fs | -- I D
2
2
--0.5
--4
3
3
5 7
5 7
--0.6
--5
--1.0
--1.0
--0.7
--6
V DS = --10V
2
2
2
V DD = --10V
V GS = --4V
--0.8
3
3
Ta=25°C
--7
--0.9 --1.0
IT13073
IT13075
5 7
IT13077
IT13079
5 7
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
ECH8668
--10
--10
--8
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--10
100
100
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
--60 --40 --20
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
0
0
0
--2
--0.2
--0.5
Ciss, Coss, Crss -- V DS
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
0
--6
--0.4
R DS (on) -- Ta
20
--1.0
I D -- V GS
I S -- V SD
--8
40
Ciss
--0.6
--10
60
--1.5
--12
80
--0.8
--14
100
No. A1510-5/6
--2.0
V GS = --10V
--16
120
--1.0
V GS =0V
f=1MHz
--18
140
IT13074
IT13076
IT13078
IT13080
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
--2.5
--1.2
160
--20