EC10QS10 Nihon Inter Electronics (NIEC), EC10QS10 Datasheet

EC10QS10

Manufacturer Part Number

EC10QS10

Description

100 V, diode

Manufacturer

Nihon Inter Electronics (NIEC)

Datasheet

1.EC10QS10.pdf (1 pages)

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

EC10QS10-TE12L

Manufacturer:

NIEC

Quantity:

76 000

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

EC10QS10-TE12R

Manufacturer:

NIEC

Quantity:

30 000

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1A Avg.

（Ａ）

（Ｗ）

（Ａ）

■最大定格 Maximum Ratings

■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics

■定格・特性曲線

ピ

Peak Reverse Current

ピ

Peak Forward Voltage

熱

Thermal Resistance

＊1：プリント基板実装/Glass-Epoxy Substrate mounted (Soldering Lands= 2 × 2 mm , Both Sides)

＊2：アルミナ基板実装/Alumina Substrate mounted (Soldering Lands= 2 × 2 mm , Both Sides)

瞬

時

順

電

流

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

Average Rectified Forward Current

実

R.M.S. Forward Current

サ

Surge Forward Current

動

Operating Junction Temperature Range

保

Storage Temperature Range

サ

｜

ジ

順

電

流

平

均

逆

電

力

損

失

作

0.40

0.30

0.20

0.10

0.5

0.2

0.1

ー

均

ー

存

0.02

効

接

整

ジ

温

ク

合

Item

0.02s

順

抵

0.2

0.05

温

流

順

度

逆

順

f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load

AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION

サージ順電流定格

度

平均逆電力損失

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE

電

瞬時順電圧（Ｖ）

0.4

電

範

電

0.1

順電圧特性

I FSM

SURGE CURRENT RATINGS

範

逆電圧（Ｖ）

REVERSE VOLTAGE (V)

時間（ｓ）

FIG.1

FIG.4

FIG.7

流

囲

流

圧

抗

TIME (s)

0.6

0.2

Symbol

F(RMS)

100

th(j-a)

FSM

0.8

RRM

HALF SINE WAVE

stg

0.5

RECT 300

RECT 240

RECT 180

D.C.

1.0

100

Tj=150 C

Tj=25 C

50Hz、正弦半波通電抵抗負荷

50Hz Half Sine Wave Resistive Load

EC10QS10

Volts

Junction to Ambient

1.2

120

接合部･周囲間

（Ｗ）

（Ａ）

（ｐＦ）

平

均

順

電

力

損

失

平

均

順

電

流

接

合

容

量

CONDUCTION ANGLE

通流角

100

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.6

1.2

0.8

0.4

50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し

50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

180

0.5

D.C.

RECT 180

HALF SINE WAVE

RECT 120

RECT 60

平均順電流 − 周囲温度定格

−40∼＋150

Conditions

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE

Alumina Substrate mounted(Land=2×2mm),V

＝25℃, V

平均順電力損失特性

JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE

0.4

Tj=25 C,Vm=20mV

＝25℃, I

1.57

AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION

100

SBD

Conditions

Glass Epoxy Substrate Mounted

RECT 60

接合容量特性

平均順電流（Ａ）

Ta＝25℃

Ta＝52℃

AVERAGE FORWARD CURRENT (A)

周囲温度（℃）

Alumina Substrate Mounted

AMBIENT TEMPERATURE ( C)

258

逆電圧（Ｖ）

REVERSE VOLTAGE (V)

RMS

FIG.2

FIG.5

FIG.8

HALF SINE WAVE

RECT 120

, f=100kHz, Typical Value

0.8

＝V

＝1A

＊1

＊2

RECT 180

RRM

100

=100V

1.2

125

0.89

1.0

100

EC10QS10

D.C.

1.6

150

200

（Ａ）

（ｍＡ）

平

均

順

電

流

Unit

ピ

｜

ク

逆

電

流

CONDUCTION ANGLE

℃

＊2

通流角

＊1

1.6

1.2

0.8

0.4

180

D.C.

RECT 180

HALF SINE WAVE

RECT 120

RECT 60

■OUTLINE DRAWING(mm)

■APPROX. NET WEIGHT:0.06 g

Min.

平均順電流 − リード温度定格

−

PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. LEAD TEMPERATURE

ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性

ピーク逆電圧（Ｖ）

リード温度（℃）

Typ.

EC10QS10

PEAK REVERSE VOLTAGE (V)

LEAD TEMPERATURE ( C)

−

Tj= 150 C

FIG.3

FIG.6

=100V

Max.

0.85

157

108

0.5

100

℃/W

Unit

125

100

EC10QS10

150

120

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