EC21QS10 Nihon Inter Electronics (NIEC), EC21QS10 Datasheet
EC21QS10
Manufacturer Part Number
EC21QS10
Description
100 V, diode
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
1.EC21QS10.pdf
(1 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
EC21QS10-TE12L
Manufacturer:
NIEC
Quantity:
30 000
Company:
Part Number:
EC21QS10-TE12R
Manufacturer:
NIEC
Quantity:
30 000
2A Avg.
(A)
(A)
(W)
■最大定格 Maximum Ratings
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
■定格・特性曲線
サ
|
ジ
順
電
流
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
平
Average Rectified Forward Current
実
R.M.S. Forward Current
サ
Surge Forward Current
動
Operating Junction Temperature Range
保
Storage Temperature Range
ピ
Peak Reverse Current
ピ
Peak Forward Voltage
熱
Thermal Resistance
*アルミナ基板実装/Alumina Substrate mounted (Soldering Lands= 2 × 2 mm , Both Sides)
瞬
時
順
電
流
平
均
逆
電
力
損
失
作
0.5
0.2
60
50
40
30
20
10
均
ー
存
ー
ー
10
0.8
0.6
0.4
0.2
5
2
1
0
0
0.02
効
0
0
接
整
ジ
温
ク
ク
Item
合
Item
0.02s
順
抵
0.2
20
0.05
温
流
順
度
逆
順
f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
サ ー ジ 順 電 流 定 格
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION
度
平 均 逆 電 力 損 失
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
電
瞬 時 順 電 圧 (V)
0.4
40
電
電
範
電
電
0.1
I FSM
順 電 圧 特 性
SURGE CURRENT RATINGS
範
逆 電 圧 (V)
REVERSE VOLTAGE (V)
時 間 (s)
FIG.1
FIG.4
FIG.7
流
流
流
囲
囲
流
圧
抗
TIME (s)
0.6
0.2
60
Symbol
Symbol
I
R
R
V
F(RMS)
I
V
T
100
I
T
th(j-a)
th(j-l)
FSM
I
0.8
RRM
RM
80
HALF SINE WAVE
FM
stg
O
jw
0.5
RECT 300
RECT 240
RECT 180
D.C.
1.0
100
Tj=150 C
1
Tj=25 C
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷
50Hz Half Sine Wave Resistive Load
EC21QS10
EC21QS10
EC21QS10
Volts
1.2
120
2
(W)
(A)
(pF)
接 合 部 ・ リ ー ド 間
Junction to Ambient
平
均
順
電
力
損
失
接
合
容
量
平
均
順
電
流
接 合 部 ・ 周 囲 間
50
Junction to Lead
CONDUCTION ANGLE
CONDUCTION ANGLE
0
0
通流角
通流角
200
100
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
50
20
10
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
0
0
180
180
0.5
0
0
D.C.
RECT 180
RECT 120
RECT 60
1
平 均 順 電 流 − 周 囲 温 度 定 格
−40∼+150
−40∼+150
0.5
Conditions
Alumina Substrate mounted(Soldering Land=2×2mm),V
T
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE
25
HALF SINE WAVE
j
T
=25℃, V
平 均 順 電 力 損 失 特 性
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE
2
j
Tj=25 C,Vm=20mV
=25℃, I
3.14
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
100
SBD
1.0
RECT 60
Conditions
Tl:lead Temperature
接 合 容 量 特 性
平 均 順 電 流 (A)
50
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Ta=25℃
周 囲 温 度 (℃)
AMBIENT TEMPERATURE ( C)
263
逆 電 圧 (V)
5
REVERSE VOLTAGE (V)
Tl=106℃
HALF SINE WAVE
1.5
RECT 120
RMS
FIG.2
FIG.5
FIG.8
RM
, f=100kHz, Typical Value
Alumina Substrate Mounted
FM
75
10
RECT 180
=V
2.0
=2A
*
20
RRM
100
2.5
RM
=100V
50
125
3.0
−
D.C.
1.3
2.0
100
EC21QS10
EC21QS10
EC21QS10
150
200
3.5
(A)
(mA)
平
均
順
電
流
Unit
ピ
|
ク
逆
電
流
℃
℃
CONDUCTION ANGLE
V
A
A
A
A
0
通流角
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
*
5
2
180
0
0
D.C.
RECT 180
HALF SINE WAVE
RECT 120
RECT 60
■OUTLINE DRAWING(mm)
■APPROX. NET WEIGHT:0.06 g
Min.
平 均 順 電 流 − リ ー ド 温 度 定 格
−
−
−
25
20
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. LEAD TEMPERATURE
ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性
ピ ー ク 逆 電 圧 (V)
リ ー ド 温 度 (℃)
50
40
Typ.
EC21QS10
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)
−
−
−
−
LEAD TEMPERATURE ( C)
Tj= 150 C
FIG.3
FIG.6
V
RM
75
60
=100V
Max.
0.85
108
23
1
100
80
℃/W
℃/W
Unit
125
mA
100
V
EC21QS10
EC21QS10
150
120