EC31QS06 Nihon Inter Electronics (NIEC), EC31QS06 Datasheet

EC31QS06

Manufacturer Part Number

EC31QS06

Description

60 V, diode

Manufacturer

Nihon Inter Electronics (NIEC)

Datasheet

1.EC31QS06.pdf (1 pages)

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Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

EC31QS06-TE12L

Manufacturer:

NIEC

Quantity:

30 000

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

EC31QS06-TE12R

Manufacturer:

NIEC

Quantity:

30 000

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（Ａ）

3A Avg.

（Ａ）

（Ｗ）

■最大定格 Maximum Ratings

■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics

■定格・特性曲線

瞬

時

順

電

流

ピ

Peak Reverse Current

ピ

Peak Forward Voltage

熱

Thermal Resistance

＊アルミナ基板実装/Alumina Substrate mounted (Soldering Lands= 2 × 2 mm , Both Sides)

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

Average Rectified Forward Current

実

R.M.S. Forward Current

サ

Surge Forward Current

動

Operating Junction Temperature Range

保

Storage Temperature Range

平

均

逆

電

力

損

失

サ

｜

ジ

順

電

流

作

0.5

0.2

ー

均

ー

存

0.02

効

接

整

ジ

温

ク

合

Item

0.02s

順

抵

0.2

0.05

温

流

順

度

逆

順

f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load

AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION

サージ順電流定格

度

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

平均逆電力損失

FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE

電

瞬時順電圧（Ｖ）

0.4

電

範

電

0.1

順電圧特性

I FSM

SURGE CURRENT RATINGS

範

逆電圧（Ｖ）

REVERSE VOLTAGE (V)

時間（ｓ）

FIG.1

FIG.4

FIG.7

流

囲

流

圧

抗

TIME (s)

Tj=150 C

0.6

0.2

Tj=25 C

Symbol

F(RMS)

th(j-a)

th(j-l)

FSM

0.8

RRM

stg

0.5

HALF SINE WAVE

RECT 300

RECT 240

RECT 180

1.0

D.C.

50Hz、正弦半波通電抵抗負荷

50Hz Half Sine Wave Resistive Load

EC31QS06

Volts

1.2

（Ｗ）

（Ａ）

（ｐＦ）

接合部･リード間

Junction to Ambient

平

均

順

電

力

損

失

平

均

順

電

流

接

合

容

量

接合部･周囲間

Junction to Lead

CONDUCTION ANGLE

通流角

500

200

100

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し

50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

180

0.5

D.C.

RECT 180

RECT 120

RECT 60

平均順電流 − 周囲温度定格

−40∼＋150

Conditions

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE

Alumina Substrate Mounted(Soldering Land=2×2mm),V

HALF SINE WAVE

＝25℃, V

平均順電力損失特性

JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE

Tj=25 C,Vm=20mV

＝25℃, I

AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION

4.71

SBD

Conditions

RECT 60

Tl:lead Temperature

平均順電流（Ａ）

接合容量特性

AVERAGE FORWARD CURRENT (A)

Ta＝36℃

周囲温度（℃）

AMBIENT TEMPERATURE ( C)

270

逆電圧（Ｖ）

REVERSE VOLTAGE (V)

Tl=64℃

RMS

HALF SINE WAVE

FIG.2

RECT 120

FIG.5

FIG.8

, f=100kHz, Typical Value

Alumina Substrate Mounted

＝V

＝3A

RECT 180

＊

RRM

100

=60V

125

−

1.0

3.0

EC31QS06

D.C.

100

150

（Ａ）

（ｍＡ）

平

均

順

電

流

Unit

ピ

｜

ク

逆

電

流

℃

CONDUCTION ANGLE

通流角

200

100

＊

180

D.C.

RECT 180

HALF SINE WAVE

RECT 120

RECT 60

■OUTLINE DRAWING(mm)

■APPROX. NET WEIGHT:0.06 g

Min.

平均順電流 − リード温度定格

−

PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. LEAD TEMPERATURE

ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性

ピーク逆電圧（Ｖ）

リード温度（℃）

Typ.

EC31QS06

PEAK REVERSE VOLTAGE (V)

LEAD TEMPERATURE ( C)

−

FIG.3

Tj= 150 C

FIG.6

=60V

Max.

0.61

108

100

℃/W

Unit

125

EC31QS06

150

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