T2156N Eupec GmbH & Co KG, T2156N Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T2156N
• Manufacturer: Eupec GmbH & Co KG

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-
Gate
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Gehäuse
1)
T 2159 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Charakteristische Werte
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Gehäusegrenzstrom 36 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 36 kA (50Hz sinusoidal half-wave).
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I
critical rate of rise of on-state current
critical rate of rise of off-state voltage
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
thermal resistance, junction to case
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Si-pellet with pressure contact, amplifying
gate
clamping force
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
case
Electrical properties
Maximum rated values
Characteristic values
Thermal properties
2
t-value
t
t
t
t
t
t
t
t
t
DIN IEC 747-6, f= 50 Hz,
v
t
5.Kennbuchstabe/5th letter C
5.Kennbuchstabe/5th letter F
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
i
t
DIN IEC 747-6, t
di
t
v
di
letter O
Kühlfläche/cooling surface
beidseitig/two-sided,
beidseitig/two-sided, DC
Kühlfläche/cooling surface
beidseitig/two-sided
einseitig/single-sided
DIN 40040
f = 50 Hz
vj
vj
vj
c
c
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
GM
vj
vj
L
DM
=t
G
T
= 85°C
= 64°C
=10 V, i
= -40°C...t
= -40°C...t
= +25°C...t
= 25°C, t
= t
= 25°C, t
= t
= t
= t
= t
= t
= 25 °C, v
= 25 °C, v
= t
= t
= t
= 25 °C, v
= 25 °C,v
= t
/dt=10A/µs, 4.Kennbuchstabe/4th
/dt=1,6 A/µs
=0,67v
= 1,6 A, di
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max,
, i
, t
, t
, v
, i
, v
, v
, v
GM
TM
v
DRM
T
p
p
p
p
D
D
D
D
D
D
=i
= 1,6 A, di
D
D
D
vj max
vj max
= 10 ms
= 10 ms
= 10 ms
= 10 ms
= 8800 A
= V
vj max
=0,67 V
= 6 V
= 0,5 V
= 0,5 V
= 6 V, R
, dv
G
TAVM
= 6 V
= 6 V
= 6 V, R
/dt = 1,6 A/µs, t
DRM
vj
D
=25°C, i
, v
/dt=20V/µs,-
, v
RM
DRM
DRM
DRM
GK
A
R
G
=100 V,
/dt = 1,6 A/µs
=180° sin
= V
= 5
GM
10
RRM
=1,6 A,
g
= 20 µs
V
V
V
I
I
I
I
(di
(dv
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
t
R
R
t
t
t
F
G
D
TRMSM
TAVM
TSM
2
T
GT
GD
H
L
gd
q
vj max
c op
stg
T
DRM
DSM
RSM
T(TO)
GT
GD
, i
thJC
thCK
t
T
D
/dt)
R
/dt)
, V
cr
cr
RRM
Titelseite / front page
2000 2200 2400
2000 2200 2400
2100 2300 2500
max. 1500 mA
2600 2800
2600 2800
2700 2900
-40...+125 °C
-40...+150 °C
max. 2,65 V
max. 0,25 V
9,68 · 10
max. 300 mA
max. 300 V
max. 300 mA
typ. 1200 g
max. 250 mA
max. 300 µs
max. 10 mA
typ. 250 µs
max. 5 mA
0,0099 °C/W
0,0092 °C/W
0,0025 °C/W
42...95 kN
8 · 10
44000 A
40000 A
0,154 m
0,005 °C/W
4600 A
2159 A
2930 A
1000 V/µs
1,05 V
150 A/µs
500 V/µs
125 °C
25 mm
50 m/s²
6
6
V
V
V
A
A
C
2
2
1)
1)
s
s