NSB9435 ON Semiconductor, NSB9435 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: NSB9435
• Description: High Current Bias Resistor Transistor
• Manufacturer: ON Semiconductor

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1. Pulse Test: Pulse Width
2. f
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter On Voltage
DC Current Gain
Resistor
Output Capacitance
Input Capacitance
Current–Gain – Bandwidth Product (Note 2)
T
(I
(I
(V
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(V
(V
(I
C
E
C
C
C
C
C
C
C
C
C
= |h
CE
CE
BE
CB
EB
= 50 mAdc, I
= 10 mAdc, I
= 0.8 Adc, I
= 1.2 Adc, I
= 3.0 Adc, I
= 3.0 Adc, I
= 1.2 Adc, V
= 0.8 Adc, V
= 1.2 Adc, V
= 3.0 Adc, V
= 500 mA, V
FE
= 25 Vdc)
= 25 Vdc, T
= 5.0 Vdc)
= 10 Vdc, I
= 8.0 Vdc)
| S f
test
B
B
B
B
C
CE
CE
CE
CE
CE
B
E
= 20 mAdc)
= 20 mAdc)
= 0.3 Adc)
= 0.3 Adc)
J
= 0 Adc)
= 0 Adc)
= 0 Adc, f = 1.0 MHz)
= 125 C)
= 4.0 Vdc)
= 1.0 Vdc)
= 1.0 Vdc)
= 1.0 Vdc)
= 10 V, F
Characteristics
300 s, Duty Cycle
(Note 1)
test
= 1.0 MHz)
(T
A
= 25 C unless otherwise noted)
2%.
http://onsemi.com
NSB9435T1
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2
V
Symbol
V
V
V
CEO(sus)
V
CE(sat)
BE(sat)
I
I
BE(on)
C
h
CER
EBO
C
R1
EBO
f
FE
ob
T
ib
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Min
125
110
6.0
7.5
30
90
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–
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–
–
–
–
–
–
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0.155
Typ
220
100
135
110
10
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
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0.210
0.275
0.550
Max
1.25
1.10
12.5
200
700
150
20
–
–
–
–
–
–
–
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mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
kW
Adc
pF
pF
–