MJE18604 Motorola, MJE18604 Datasheet

MJE18604

Manufacturer Part Number

MJE18604

Description

POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS

Manufacturer

Motorola

Datasheet

1.MJE18604.pdf (6 pages)

Current page: 1 of 6
Download datasheet (218Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Advance Information

High Speed, High Gain Bipolar

NPN Power Transistor with

Integrated Collector-Emitter

Diode and Built-in Efficient

Antisaturation Network for

1600 V Applications

Tight dynamic characteristics and lot to lot low spread ( 150 ns on storage time) make

it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no more a need to

guarantee an h fe window.

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.

MAXIMUM RATINGS

THERMAL CHARACTERISTICS

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Emitter Sustaining Voltage @ R = 200

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Base Current — Continuous

Base Current

*Total Device Dissipation @ T C = 25 _ C

Operating and Storage Temperature

Thermal Resistance — Junction to Case

Thermal Resistance

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:

The MJE18604D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).

Main features:

Motorola, Inc. 1995

Low Base Drive Requirement

High DC Current Gain (30 Typical) @ I C = 400 mA

Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the Internal Active

Antisaturation (H2BIP) Structure which Minimizes the Spread

Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode Matched with the Power

Transistor

Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V CE(sat)

“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads

*Derate above 25 C

1/8 from case for 5 seconds

— Peak (1)

— Junction to Ambient

Rating

10%.

Î Î Î Î Î Î Î

Symbol

T J , T stg

V CEO

V CER

V CBO

V EBO

V CES

R JC

R JA

I CM

I BM

P D

T L

I C

I B

Î Î Î Î Î Î Î Î

– 65 to 150

MJE18604D2

Value

1600

1.25

62.5

800

100

260

0.8

POWER TRANSISTORS

CASE 221A–06

3 AMPERES

1600 VOLTS

100 WATTS

Order this document

TO–220AB

by MJE18604D2/D

Î Î Î Î

W/ _ C

_ C/W

Unit

Watt

Vdc

Adc

_ C

Related parts for MJE18604

MJE18604 Summary of contents

Page 1

... Antisaturation Network for 1600 V Applications The MJE18604D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot low spread ( 150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no more a need to guarantee window ...

Page 2

... MJE18604D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 3

... Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î MJE18604D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 4

... MJE18604D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 5

... SEATING –T– PLANE CASE 221A–06 TO–220AB ISSUE Y MJE18604D2 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. INCHES MILLIMETERS DIM MIN MAX MIN ...

Page 6

... JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki, 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315 HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data *MJE18604D2/D* MJE18604D2/D ...

Related keywords

MJE18604 datasheet
MJE18604 data sheet
MJE18604 pdf datasheet
MJE18604 component
MJE18604 part
MJE18604 distributor
MJE18604 RoHS
MJE18604 datasheet download