MC74HCT244ADW ON Semiconductor, MC74HCT244ADW Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MC74HCT244ADW
• Description: IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SOIC
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: 74HCTr

Specifications of MC74HCT244ADW

• Logic Type: Buffer/Line Driver, Non-Inverting
• Number Of Elements: 2
• Number Of Bits Per Element: 4
• Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
• Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
• Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 20-SOIC (7.5mm Width)
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
†Derating − Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
1. Information on typical parametric values along with frequency or heavy load considerations can be found in Chapter 2 of the ON
2. Total Supply Current = I
MAXIMUM RATINGS
Symbol
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
in
DI
V
V
V
V
V
T
t
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
I
I
V
I
I
V
P
V
T
T
, V
r
I
out
CC
I
OZ
CC
CC
out
stg
CC
, t
OH
in
OL
in
IH
CC
in
A
IL
D
L
f
out
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
− SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
− TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage (Referenced to GND)
DC Output Voltage (Referenced to GND)
DC Input Current, per Pin
DC Output Current, per Pin
DC Supply Current, V
Power Dissipation in Still Air,
Storage Temperature
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
Operating Temperature, All Package Types
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
Minimum High−Level Input Voltage
Maximum Low−Level Input
Voltage
Minimum High−Level Output
Voltage
Maximum Low−Level Output
Voltage
Maximum Input Leakage Current
Maximum Three−State Leakage
Current
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Additional Quiescent Supply
Current
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package)
Parameter
CC
+ ΣDI
Parameter
Parameter
CC
CC
and GND Pins
.
TSSOP Package†
SOIC Package†
(Voltages Referenced to GND)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
V
|I
V
|I
V
|I
V
|I
V
|I
V
|I
V
Output in High−Impedance State
V
V
V
V
l
out
Plastic DIP†
out
out
out
out
out
out
out
out
in
in
in
in
in
in
in
in
in
= V
= V
= V
= V
= V
= V
= V
= 2.4 V, Any One Input
= V
= 0 mA
| v 20 mA
| v 20 mA
| v 20 mA
| v 6 mA
| v 20 mA
| v 6 mA
= 0.1 V or V
= 0.1 V or V
IH
IH
IH
IH
CC
IL
CC
CC
http://onsemi.com
MC74HCT244A
or V
Test Conditions
or V
or V
or V
or V
or GND
or GND I
or GND, Other Inputs
IH;
IL
IL
IL
IL
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
CC
CC
out
2
out
– 0.5 to V
– 0.5 to V
– 0.1 V
– 0.1 V
= V
– 55
Min
4.5
– 65 to + 150
= 0 mA
– 0.5 to + 7
0
0
CC
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Value
± 20
± 35
± 75
750
500
450
260
or GND
CC
CC
+ 125
Max
V
500
5.5
+ 0.5
+ 0.5
CC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
Unit
Unit
V
mW
CC
mA
mA
mA
_C
_C
_C
ns
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
V
V
V
V
V
≥ −55_C
– 55 to
25_C
± 0.1
± 0.5
3.98
0.26
0.8
0.8
4.4
5.4
0.1
0.1
2.9
2
2
4
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, V
V
range GND v (V
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V
Unused outputs must be left open.
out
This device contains protection
Unused inputs must always be
Guaranteed Limit
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
should be constrained to the
v 85_C
± 1.0
± 5.0
3.84
0.33
25_C to 125_C
0.8
0.8
4.4
5.4
0.1
0.1
40
2
2
2.4
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
in
v 125_C
or V
± 1.0
± 10
160
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
2
2
out
) v V
in
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
CC
CC
and
Unit
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
).
.