SFH 482-1/2 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH 482-1/2 Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: SFH 482-1/2
• Description: EMITTER IR 880NM TO-18
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc

Specifications of SFH 482-1/2

• Wavelength: 880nm
• Viewing Angle: 60°
• Package / Case: TO-18
• Current - Dc Forward (if): 200mA
• Radiant Intensity (ie) Min @ If: 3.15mW/sr @ 100mA
• Voltage - Forward (vf) Typ: 1.5V
• Orientation: Top View
• Mounting Type: Through Hole
• Lens Dimensions: 4.8 mm x 4.8 mm x 0.2 mm
• Lens Shape: Dome
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: Q62703Q4771

Gruppierung der Strahlstärke I
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity I
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
Strahlstärke
Radiant intensity
I
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
Strahlstärke
Radiant intensity
I
1)
1)
2008-11-25
F
F
F
F
= 100 mA,
= 1 A,
= 100 mA,
= 1 A,
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 2.0 mm; distance of aperture to case back side: 5.4 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
t
t
p
p
= 100 μs
= 100 μs
t
t
p
p
= 20 ms I
= 20 ms I
Symbol
Symbol
I
I
Symbol
Symbol
I
I
e min
e max
e typ
e min
e max
e typ
.
.
e
e
in Achsrichtung
in Axial Direction
> 40
–
540
> 3.15
–
–
480-2
SFH
SFH
482
SFH
480-3
> 63
–
630
SFH
482-1
3.15
6.3
40
5
SFH
481
> 10
–
220
SFH
482-2
5
10
65
Value
Value
Wert
Wert
SFH 480, SFH 481, SFH 482
SFH
481-1
10
20
130
SFH
482-3
> 8
–
80
SFH
481-2
>16
–
220
SFH
482-M
E 7800
1.6
3.2
–
1)
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr