SFH 464 E7800 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH 464 E7800 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: SFH 464 E7800
• Description: EMITTER IR 660NM TO-18
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc

Specifications of SFH 464 E7800

• Wavelength: 660nm
• Package / Case: TO-18
• Current - Dc Forward (if): 50mA
• Radiant Intensity (ie) Min @ If: 1mW/sr @ 50mA
• Voltage - Forward (vf) Typ: 2.1V
• Viewing Angle: 46°
• Orientation: Top View
• Mounting Type: Through Hole
• Radiant Intensity: 1 mW/sr
• Maximum Forward Current: 50 mA
• Maximum Power Dissipation: 140 mW
• Maximum Operating Temperature: + 80 C
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Lens Shape: Circular
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: Q62702P1745

Strahlstärke I
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity I
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
1)
1)
Radiation Characteristics
I
2008-08-11
100
rel
F
50
60
70
80
90
= 50 mA,
=
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
f
1.0
(ϕ)
40
1)
0.8
1)
t
p
30
= 20 ms
0.6
e
in Achsrichtung
1)
20
0.4
e
in Axial Direction
10
0
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
1)
40
1)
60
80
100
OHR01457
4
120
Symbol
I
e
Werte
Values
≥ 1
Einheit
Unit
mW/sr
SFH 464