Features:
D Advanced Process Technology
D Ultra Low On-Resistance
D Dynamic dv/dt Rating
D +175°C Operating Temperature
D Fast Switching
D Fully Avalanche Rated
Absolute Maximum Ratings:
Continuous Drain Current (V
Pulsed Drain Current (Note 1), I
Power Dissipation (T
Gate-to-Source Voltage, V
Avalanche Current (Note 1), I
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T
Mounting Torque (6-32 or M3 Screw)
Thermal Resistance, Junction-to-Case, R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, R
Typical Thermal Resistance, Case-to-Sink (Flat, Greased Surface), R
Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. Starting T
Note 3. I
T
T
Derate Linearly Above 25°C
C
C
SD
= +25°C
= +100°C
≤ 32A, di/dt ≤ 220A/μs, V
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
= +25°C, L = 0.37mH, R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
C
= +25°C), P
GS
GS
AR
N-Ch, Enhancement Mode
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
= 10V), I
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Speed Switch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
D
AR
≤ V
J
thJC
NTE2904
MOSFET
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(BR)DSS
G
thJA
= 25Ω, I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
, T
J
AS
≤ +175°C
= 32A
L
thCS
. . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
10 lbfin (1.1Nm)
-55° to +175°C
-55° to +175°C
0.83W/°C
1.15°C/W
0.5°C/W
62°C/W
5.0V/ns
+300°C
7130W
13mJ
210A
±20V
64A
45A
32A