BP104S-Z OSRAM, BP104S-Z Datasheet

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Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten ...

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Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage = 25 ° Verlustleistung, A Total power dissipation = 25 ° C, Normlicht A, T Kennwerte ( ° C, ...

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C, Normlicht A, T Kennwerte ( ° C, standard light A, T Characteristics ( A Bezeichnung Parameter E Kurzschlussstrom, = 1000 lx V Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time ...

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Relative Spectral Sensitivity (λ) rel OHF00078 100 S % rel 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Dark Current ...

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Maßzeichnung Package Outlines Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2005-03-02 Chip position 1.1 (0.043) 0.9 (0.035) 6.7 (0.264) 6.2 (0.244) 4.5 (0.177) 4.3 (0.169) 1.6 (0.063) ±0.2 (0.008) Photosensitive area Cathode ...

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... Vorbehandlung nach JEDEC Level 4 Preconditioning acc. to JEDEC Level 4 (nach J-STD-020B) (acc. to J-STD-020B) Maximum Solder Profile Recommended Solder Profile Minimum Solder Profile 120 s max 100 150 2 with the express written approval of OSRAM OS 104 S OHLA0687 +0 ˚C 260 ˚C -5 ˚C 245 ˚C ±5 ˚C +5 ˚C 235 ˚C -0 ˚ ...