LE T H3W-MANA-25 OSRAM Opto Semiconductors Inc, LE T H3W-MANA-25 Datasheet

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LE T H3W-MANA-25

Manufacturer Part Number
LE T H3W-MANA-25
Description
LED High Power (> 0.5 Watts) True Green 520nm
Manufacturer
OSRAM Opto Semiconductors Inc
Datasheet

Specifications of LE T H3W-MANA-25

Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
Q65110A7704
OSRAM OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
• Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
• Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
• Wellenlänge: 617 nm (amber); 520 nm (true
• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
• Abstrahlende Fläche: typ. 3,2 x 2,1 mm²
• Technologie: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
• Leuchtdichte: 26*10
• Montierbarkeit: verschraubbar
• Stecker: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
• Verpackungseinheit: 50 St. pro Box
• Erweiterte Korrosionsfestigkeit:
Anwendungen
• Projektion
• Medizintechnik: Operationslampen
• Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
2010-03-03
Multi-Chip on Board Technologie mit
Glasabdeckung
Helligkeit und Leuchtdichte dank
Oberflächenemission und niedrigem R
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
green); 464 nm (blue)
41*10
JESD22-A114-D
= Verpackungseinheit
Details siehe Seite 14
6
cd/m² (true green); 9*10
6
cd/m² (amber);
6
cd/m² (blue)
th
1
Features
• package: compact lightsource in multi chip on
• feature of the device: outstanding brightness
• wavelength: 617 nm (amber); 520 nm (true
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm²
• technology: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
• Luminance: 26*10
• mounting methods: screw holes
• connector: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
• method of packing: 50 pcs. per tray
• Superior Corrosion Robustness:
Applications
• projection
• medical lighting: surgery light
• spotlights
board technology with glass window on top
and luminance due to pure surface emission
and low R
prepared for additional optics
green); 464 nm (blue)
41*10
JESD22-A114-D
= packing unit
details see page 14
6
cd/m² (true green); 9*10
th
6
cd/m² (amber);
6
cd/m² (blue)

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LE T H3W-MANA-25 Summary of contents

Page 1

... OSRAM OSTAR - Projection Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LE A H3W H3W H3W Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in Multi-Chip on Board Technologie mit Glasabdeckung • Besonderheit des Bauteils: extrem hohe Helligkeit und Leuchtdichte dank Oberflächenemission und niedrigem R Vorbereitet fü ...

Page 2

... Bestellinformation Ordering Information Typ Type LE A H3W-LAMA- H3W-MANA- H3W-JAKA-23 LE_ACC_SHR_10V_SR Anm.: Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus einer Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe und Farbgruppe pro Verpackungsbox geliefert. * Zum Zweck der Bemusterung kann in kleinen Stückzahlen der konfektionierte JST-Gegenstecker mit Kabel angefordert werden ...

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... T ( =25°C) board Sperrstrom pro Chip DC Reverse current per chip 0 Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden. Condensation on the module has to be avoided. 2010-03- H3W H3W H3W Symbol Werte Symbol Values amber true green T – 40 … board – 40 … board, stg ...

Page 4

... Vrel max ϕ (typ Seite 19 V (min (typ (max.) F η (typ.) opt (typ.) A Color (typ Φ (typ H3W H3W H3W Werte Values amber true green 627 516 613 509 617 520 625 533 26 44 120 2.25 3.1 2.8 3.8 3.95 4. 3 ...

Page 5

... N T ⁄ – N 2010-03- Resistance 25/50 25/85 Tolerance Δ R [K] [K] 3940 3980 ± 5% www.epcos.com Typische Thermistor Kennlinie ⎞ 1 ⎠ Typical Thermistor Graph H3W H3W H3W B value Tolerance Δ B ± page °C F board 10000 Ω R 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 ...

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... Wellenlänge Wavelength H3W H3W H3W 2) Seite 19 Lichtstrom 2) page 19 Luminous Flux Φ (lm) V 380 (typ.) 480 (typ.) 600 (typ.) 760 (typ.) 950 (typ.) 150 (typ.) 190 (typ.) 240 (typ.) blue min ...

Page 7

... Seite 19 2) page 19 500 550 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.6 0.4 0˚ H3W H3W H3W V λ blue true green amber 600 650 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ OHL02471 nm 700 λ OHL03736 120˚ ...

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... F Relative Lichtstärke 2) 6) page 19 Relative Luminous Intensity Ι /Ι =1ms, D=0,0003 H3W OHL02995 H3W H3W H3W 2) Seite 19 2) page ° H3W H3W Seite page >1A °C; t =1ms, D=0,0003 1 1.5 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 1 1.2 1.4 1.6 OHL03005 1.8 ...

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... Relative Luminous Intensity Ι =1ms, D=0,0003 /Ι H3W H3W OHL03034 Dominante Wellenlänge Dominant Wavelength λ dom OHL02996 1 2 H3W H3W H3W 2) 6) Seite page >1A °C; t =1ms, D=0,0003 1. 1.30 1.25 1.20 1.15 1.10 1.05 1.00 1 1.5 2) Seite 19 2) page ...

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... LE A H3W 0.30 V Δ 0.15 0.10 0.05 0 -0.05 -0.10 -0.15 -0.20 -40 - 2010-03-03 2) Seite 19 Relative Vorwärtsspannung Relative Forward Voltage Δ H3W H3W OHL03738 ˚C 120 H3W H3W H3W 2) Seite 19 2) page (25 ° 0.3 V Δ 0.1 0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -40 - OHL03737 ˚C 120 T j ...

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... Relative Lichtstärke 2) page 19 Relative Luminous Intensity Ι /Ι (25 ° OHL03742 I ˚C 120 page 19 OHL03744 ˚C 120 H3W H3W H3W 2) Seite 19 2) page H3W (25 ˚C) 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -40 - OHL03743 ˚C 120 T j ...

Page 12

... Seite 19 Dominante Wellenlänge 2) page 19 Dominant Wavelength λ H3W dom Δλ dom -40 - 2010-03- H3W H3W H3W Dominante Wellenlänge Dominant Wavelength λ dom j OHL03740 8 nm Δλ dom -40 ˚C 120 T j OHL03739 ˚C 120 Seite 19 2) page H3W F OHL03741 ...

Page 13

... OHL03895 240 Hz 360 Hz 2880 Zulässige Impulsbelastbarkeit Permissible Pulse Handling Capability = 55 °C Duty cycle D = parameter chips operated simultaneously in series OHL03891 I max 0.6 0 H3W H3W H3W = °C board 2 max 1.7 1.6 1.5 240 Hz 1.4 360 Hz 1.3 2880 Hz 1.2 1.1 1.0 0 ˚ ...

Page 14

... Kontakt - Pins: Korrosionsfestigkeit besser als EN 60068-2-60 (method 4): mit erweitertem Korrosionstest: 40°C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h Corrosion robustness better than EN 60068-2-60 (method 4): with enhanced corrosion test: 40°C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h Gewicht / Approx. weight: 2010-03- H3W H3W H3W Pin-Assignment: 1: Anode; Chip Cathode; Chip Anode ...

Page 15

... For unmating wires must be held in a bundle within 20 degrees to the mating axis (see Fig. for explanation). PCB Connector PCB 2010-03-03 Connector 20˚ 20˚ Wire H3W H3W H3W 20˚ Wire OHO03020 ...

Page 16

... Verpackung 7) page 19 Method of Packing Elektrisches Ersatzschaltbild Equivalent Circuit Diagram Pin 3 ESD- Protection Pin 4 Pin 7 ESD- Protection Pin 8 2010-03- H3W H3W H3W 50 St. pro Box = Verpackungseinheit 50 pcs. per tray = packing unit Pin 9 ESD- Chip 4 Protection Pin 10 Pin 1 ESD- Chip 3 Protection Pin 2 16 ...

Page 17

... Breite / Width ± 223 5 (8,7795 ±0,19685) 2010-03-03 Group: LE xxx xxx xxxx-xxxx-xxxx Bar Code MATERIAL: Batch Material Number Barcode label Länge / length ± 170 5 (6,6929 ±0,19685 H3W H3W H3W DC: Date Code Batch Number OHA02684 Original packing label Höhe / height ± (0,826772 ±0,19685) OHA02886 ...

Page 18

... Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical 10) page 19 components may only be used in life-support devices or systems OSRAM OS. 2010-03- H3W H3W H3W 11) page 19 with the express written approval of 18 Date of change 2010-02-15 2010-03-03 ...

Page 19

... Systemen oder Systems H3W H3W H3W Brightness groups are tested at a current pulse duration and a tolerance of ± 11%. Condition for luminous intensity measurement acc. to CIE127 condition A Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures ...

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