Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE170, MJE171, MJE172
(PNP), MJE180, MJE181,
MJE182 (NPN)
Complementary Plastic
Silicon Power Transistors
and low current, high speed switching applications.
Features
•
•
•
•
•
•
•
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal
operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded,
device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be
affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
January, 2006 − Rev. 9
MAXIMUM RATINGS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Base Voltage
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
DC Current Gain −
Current−Gain − Bandwidth Product −
Annular Construction for Low Leakages −
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Machine Model, C
Pb−Free Packages are Available*
Derate above 25_C
Derate above 25_C
V
CEO(sus)
I
CBO
h
FE
f
T
= 40 Vdc − MJE170, MJE180
= 60 Vdc − MJE171, MJE181
= 80 Vdc − MJE172, MJE182
= 30 (Min) @ I
= 12 (Min) @ I
= 50 MHz (Min) @ I
= 100 nA (Max) @ Rated V
Rating
Human Body Model, 3B
− Continuous
− Peak
MJE170, MJE180
MJE171, MJE181
MJE172, MJE182
MJE170, MJE180
MJE171, MJE181
MJE172, MJE182
A
C
Preferred Device
= 25_C
= 25_C
C
C
= 0.5 Adc
= 1.5 Adc
C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
= 100 mAdc
Symbol
T
CB
V
J
V
V
P
P
, T
CEO
I
I
CB
EB
C
B
D
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
−65 to +150
Value
0.012
12.5
100
7.0
3.0
6.0
1.0
1.5
0.1
60
80
40
60
80
1
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
W/_C
W/_C
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
W
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
COMPLEMENTARY SILICON
Y
WW
JE1xx = Specific Device Code
G
POWER TRANSISTORS
3 2
ORDERING INFORMATION
40 − 60 − 80 VOLTS
1
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
3 AMPERES
12.5 WATTS
x = 70, 71, 72, 80, 81, or 82
Publication Order Number:
JE1xxG
CASE 77−09
YWW
TO−225AA
STYLE 1
MJE171/D