MJE350G ON Semiconductor, MJE350G Datasheet

TRANS PWR PNP .5A 300V TO225AA

MJE350G

Manufacturer Part Number
MJE350G
Description
TRANS PWR PNP .5A 300V TO225AA
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
Medium Powerr
Datasheets

Specifications of MJE350G

Transistor Type
PNP
Current - Collector (ic) (max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
300V
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Power - Max
20W
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225-3
Transistor Polarity
PNP
Mounting Style
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
300 V
Emitter- Base Voltage Vebo
3 V
Maximum Dc Collector Current
0.5 A
Power Dissipation
20 W
Continuous Collector Current
0.5 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
30
Current, Collector
500 mA
Current, Gain
240
Package Type
TO-225
Polarity
PNP
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction To Case
6.25 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter
300 V
Voltage, Collector To Emitter
300 V
Voltage, Emitter To Base
3 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector Cutoff (max)
-
Frequency - Transition
-
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
-
Lead Free Status / Rohs Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
MJE350GOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
MJE350G
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
10 650
Part Number:
MJE350G
Manufacturer:
ST
0
Part Number:
MJE350G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
MJE350G
Quantity:
3 200
Company:
Part Number:
MJE350G
Quantity:
4 500
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE350
Plastic Medium Power
PNP Silicon Transistor
low power, line−operated series pass and switching regulators
requiring PNP capability.
Features
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
January, 2007 − Rev. 14
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
Collector Cutoff Current
(V
Emitter Cutoff Current
(V
DC Current Gain
(I
This device is designed for use in line−operated applications such as
C
C
High Collector−Emitter Sustaining Voltage −
Excellent DC Current Gain −
Plastic Thermopad Package
Pb−Free Package is Available*
CB
EB
Derate above 25_C
= 1.0 mAdc, I
= 50 mAdc, V
= 3.0 Vdc, I
= 300 Vdc, I
V
CEO(sus)
Characteristic
Characteristic
h
FE
Rating
B
C
CE
E
= 0)
= 30−240 @ I
= 50 mAdc
= 0)
= 0)
= 300 Vdc @ I
= 1.0 mAdc
= 10 Vdc)
C
= 25_C
C
C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
(T
C
V
Symbol
Symbol
Symbol
T
CEO(sus)
V
= 25°C unless otherwise noted)
I
J
I
V
h
q
CBO
EBO
P
, T
CEO
I
EB
JC
FE
C
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
–65 to +150
Min
300
30
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Value
0.16
Max
6.25
300
500
3.0
20
Max
100
100
240
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mW/_C
mAdc
_C/W
mAdc
mAdc
Unit
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
_C
W
MJE350
MJE350G
Device
POWER TRANSISTOR
300 VOLTS, 20 WATTS
3
ORDERING INFORMATION
2 1
Y
WW
JE350
G
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
PNP SILICON
0.5 AMPERE
(Pb−Free)
Package
= Year
= Work Week
= Device Code
= Pb−Free Package
TO−225
TO−225
Publication Order Number:
JE350G
YWW
CASE 77
STYLE 1
TO−225
500 Units/Box
500 Units/Box
Shipping
MJE350/D

Related parts for MJE350G

MJE350G Summary of contents

Page 1

... POWER TRANSISTOR PNP SILICON 300 VOLTS, 20 WATTS TO−225 CASE 77 STYLE MARKING DIAGRAM YWW JE350G Y = Year WW = Work Week JE350 = Device Code G = Pb−Free Package ORDERING INFORMATION Device Package Shipping MJE350 TO−225 500 Units/Box TO−225 500 Units/Box MJE350G (Pb−Free) Publication Order Number: MJE350/D ...

Page 2

T = 150°C J 25°C 100 70 −55 ° 2 5.0 7 COLLECTOR CURRENT (mA) C Figure 1. DC ...

Page 3

... Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303− ...

Related keywords