2N3772G ON Semiconductor, 2N3772G Datasheet

TRANS NPN 20A 60V TO3

2N3772G

Manufacturer Part Number
2N3772G
Description
TRANS NPN 20A 60V TO3
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
High Powerr
Datasheets

Specifications of 2N3772G

Transistor Type
NPN
Current - Collector (ic) (max)
20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
60V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
4V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (max)
10mA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
15 @ 10A, 4V
Power - Max
150W
Frequency - Transition
200kHz
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
TO-204, TO-3
Transistor Polarity
NPN
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
60 V
Emitter- Base Voltage Vebo
7 V
Maximum Dc Collector Current
20 A
Power Dissipation
150 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Continuous Collector Current
20 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
15
Maximum Operating Frequency
0.2 MHz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Current, Collector
20 A
Current, Gain
5
Frequency
0.2 MHz
Package Type
TO-204
Polarity
NPN
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction To Case
1.17 °C/W
Voltage, Breakdown, Collector To Emitter
60 V
Voltage, Collector To Base
100 V
Voltage, Collector To Emitter
60 V
Voltage, Collector To Emitter, Saturation
4 V
Voltage, Emitter To Base
7 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
2N3772GOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
2N3772G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2N3771, 2N3772
High Power NPN Silicon
Power Transistors
regulators, and inductive switching applications.
Features
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Indicates JEDEC registered data.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
October, 2006 − Rev. 11
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Base Current −
Total Device Dissipation @ T
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance,
Junction−to−Case
These devices are designed for linear amplifiers, series pass
Forward Biased Second Breakdown Current Capability
Pb−Free Packages are Available*
I
S/b
Characteristic
= 2.5 Adc @ V
= 3.75 Adc @ V
Rating
Peak
Continuous
Peak
2N3771 is a Preferred Device
(Note 1)
C
CE
= 25°C
CE
= 60 Vdc − 2N3772
= 40 Vdc − 2N3771
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
V
J
V
V
q
P
CEO
, T
CEX
I
I
CB
JC
EB
C
B
D
stg
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
2N3771
5.0
7.5
40
50
50
30
30
15
– 65 to + 200
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
0.855
Max
1.17
150
2N3772
100
7.0
5.0
60
80
20
30
15
1
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
W/°C
°C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
°C
W
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
2N3771
2N3771G
2N3772
2N3772G
40 and 60 VOLTS, 150 WATTS
Device
POWER TRANSISTORS
2N377x = Device Code
G
A
YY
WW
MEX
ORDERING INFORMATION
TO−204AA (TO−3)
20 and 30 AMPERE
CASE 1−07
http://onsemi.com
STYLE 1
NPN SILICON
(Pb−Free)
(Pb−Free)
Package
TO−204
TO−204
TO−204
TO−204
= Pb−Free Package
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Country of Origin
x = 1 or 2
Publication Order Number:
100 Units / Tray
100 Units / Tray
100 Units / Tray
100 Units / Tray
MARKING
DIAGRAM
2N377xG
AYYWW
Shipping
MEX
2N3771/D

Related parts for 2N3772G

2N3772G Summary of contents

Page 1

... Shipping Device Package 2N3771 TO−204 100 Units / Tray 2N3771G TO−204 100 Units / Tray (Pb−Free) 2N3772 TO−204 100 Units / Tray 2N3772G TO−204 100 Units / Tray (Pb−Free) Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. Publication Order Number: 2N3771/D ...

Page 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î ...

Page 3

D = 0.5 0.5 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0.05 0.07 0.05 0.02 0.03 0.01 SINGLE PULSE 0.02 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Figure 2. Thermal Response ...

Page 4

−9.0 V ≤ − DUTY CYCLE = 1.0% R AND R ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS MUST BE FAST ...

Page 5

... Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303− ...

Related keywords