SPL LL90 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SPL LL90 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: SPL LL90
• Description: Laser Diodes HYBRID 25 W, 905 nm
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc
• Type: QW-LDr

Specifications of SPL LL90

• Peak Wavelength: 915nm
• Optical Fall Time: 14000ps
• Optical Rise Time: 11000ps
• Beam Divergence Parallel: 18°
• Beam Divergence Perpendicular: 33°
• Operating Temperature Classification: Industrial
• Power Supply Requirement: Single
• Operating Supply Voltage (max): 20V
• Operating Temp Range: -40C to 85C
• Mounting: Through Hole
• Pin Count: 3
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant, Lead free / RoHS Compliant
• Other names: Q62702P5367

Optische Kennwerte (
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Zentrale Emissionswellenlänge
Emission wavelength
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
Spectral width (FWHM)
Spitzenausgangsleistung
Peak output power
Ladespannung an der Laserschwelle
Charge Voltage at laser threshold
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
Rise and fall time (10% … 90%)
Austrittsöffnung
Aperture size
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-Übergang
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-Übergang
Beam divergence (FWHM) perpendicular to
pn-junction
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
Einschaltpunkt der Gate-Spannung
Switch on gate voltage
1)
2)
2009-03-04
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: 30 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 16 V
Ladespannung, 15 V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem
MOSFET-Treiber Elantec EL7104C.
Values refer to the following standard operating conditions: 30 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 16 V
charge voltage, 15 V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec
EL7104C.
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhängig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazität (typ. 300 pF)
des internen Transistors geladen wird. Geringere Anstiegs- und Abfallzeiten erhält man bei reduzierter optischer
Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5)
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal
transistor. Reduced rise and fall times occur at reduced optical peak power (see diagrams on page 5)
1)
1)
1)
1)
1)
T
1)
A
1)
= 25 °C)
1)
1)
1), 2)
1), 2)
1)
3
Symbol
Symbol
λ
Δλ
P
U
t
t
w
θ
θ
∂λ / ∂
R
V
r
f
||
⊥
,
opt
th
G on
C, th
×
h
T
min.
895
–
22
1.2
11
14
–
12
27
–
–
–
typ.
905
7
1.5
-
-
200 × 2
15
30
0.30
200
4.0
25
Values
Werte
max.
915
9
28
2.0
–
–
–
18
33
0.32
–
–
SPL LL90
Einheit
Unit
nm
nm
W
V
ns
ns
μm
Grad
deg.
Grad
deg.
nm/K
K/W
V
2