bp103 Osram Opto Semiconductors, bp103 Datasheet
bp103
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NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluss Anwendungen • ...
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Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 μs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage = 25 °C T Verlustleistung, A Total power dissipation Wärmewiderstand ...
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T Kennwerte ( A Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% von max Spectral range of sensitivity 10% ...
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Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom Photocurrent , λ = 950nm 0.5mW/cm E ...
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Relative Spectral Sensitivity (λ) rel 100 % 90 S rel 400 500 600 700 800 900 1000 1100 λ Output Characteristics ...
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Collector-Emitter Capacitance MHz 1E-03 1E-02 1E-01 1E+00 1E+01 1E+ Directional Characteristics ...
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Maßzeichnung Package Outlines ø0.45 (0.018) Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). 2007-04-04 Radiant sensitive area Chip position (2.7 (0.106)) 14.5 (0.571) 3.6 (0.142) 3.0 (0.118) 12.5 (0.492 103 ø5.5 (0.217) ø5.2 (0.205) ...
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