fd800r33kf2 ETC-unknow, fd800r33kf2 Datasheet

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fd800r33kf2

Manufacturer Part Number
fd800r33kf2
Description
Igbt-modules
Manufacturer
ETC-unknow
Datasheet

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Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FD800R33KF2
Manufacturer:
VICOR
Quantity:
1 000
Part Number:
FD800R33KF2
Quantity:
55
Part Number:
fd800r33kf2C
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
fd800r33kf2C
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
fd800r33kf2C-K
Quantity:
1 000
Part Number:
fd800r33kf2C-K
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. Current
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Jürgen Göttert
approved by: Chr. Lübke; 20.07.99
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
T
T
T
T
t
T
t
V
T
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
I
I
I
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication : 08.06.99
revision: 2
FD 800 R 33 KF2
C
C
C
P
P
V
j
j
C
C
C
R
j
CE
CE
CE
GE
= 1 ms, T
= 1 ms
= 800 A, V
= 800 A, V
= 80 mA, V
= 25°C
= -25°C
= 125°C
=25°C, Transistor
= 80°C
= 25 °C
= 0V, t
= 3300V, V
= 3300V, V
= 0V, V
= -15V ... + 15V, V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
GE
GE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
CE
= 20V, T
GE
GE
= 15V, Tvj = 25°C
= 15V, T
= V
= 0V, T
= 0V, T
PD
1 (9)
GE
Vj
, T
CE
CE
10 pC (acc. to IEC 1287)
vj
= 125°C
CE
vj
vj
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
vj
vj
= 125°C
= 25°C
= 1800V
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
P
V
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CE sat
CRM
FRM
GE(th)
Q
GES
CES
I
RQM
ISOL
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
F
res
tot
ies
G
t
Datenblatt
data sheet
min.
4,2
-
-
-
-
-
-
-
-
222.200
Datenblatt FD 800 R 33 KF21
+/- 20V
6.000
2.600
3300
3300
1300
1600
1600
typ.
3,40
4,30
800
800
800
100
9,6
5,1
5,4
0,1
15
40
-
max.
4,25
5,00
100
400
6,0
8
-
-
-
20.07.99
kW
A
kW
mA
mA
µC
nF
nF
nA
V
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
V
V
2
s

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fd800r33kf2 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 1600 1400 T = 25° 125°C 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 1600 1400 VGE = ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 1600 1400 1200 1000 800 600 400 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 7000 Eon 6000 Eoff Erec 5000 4000 3000 2000 1000 0 0 200 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 8000 Eon 7000 Eoff Erec 6000 5000 4000 3000 2000 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0 500 Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) 1800 ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 0,001 0,0001 0,001 i r [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i FD 800 ...

Page 9

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram FD 800 R 33 KF2 9 (9) Datenblatt data sheet Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 ...

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