cph3308 Sanyo Semiconductor Corporation, cph3308 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: cph3308
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0
0
--10V
I D = --1A
P.G
--0.1
Parameter
0V
--2
PW=10 s
D.C.≤1%
V IN
--0.2
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--2A
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--0.3
--6
R DS (on) -- V GS
V IN
--0.4
I D -- V DS
50
G
--8
--0.5
--10
V DD = --15V
D
--0.6
--12
Symbol
S
t d (on)
t d (off)
Coss
Crss
V SD
Ciss
Qgs
Qgd
Qg
I D = --2A
R L =7.5
t r
t f
--0.7
--14
CPH3308
--0.8
--16
V OUT
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -4A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -4A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -4A
I S =--4A, V GS =0
Ta=25 C
--0.9
--18
IT03708
IT03710
CPH3308
--1.0
--20
Conditions
--6.0
--5.5
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
200
150
100
50
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--0.5
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
--1.0
0
min
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--1.5
40
Ratings
typ
--0.8
560
150
60
1.5
90
17
60
66
56
12
--2.0
2
80
max
--2.5
100
--1.5
120
No.7075-2/4
--3.0
Unit
pF
pF
pF
nC
nC
nC
140
ns
ns
ns
ns
IT03709
IT03711
V
--3.5
160