SFH4255_12 OSRAM [OSRAM GmbH], SFH4255_12 Datasheet

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SFH4255_12

Manufacturer Part Number
SFH4255_12
Description
10IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
Manufacturer
OSRAM [OSRAM GmbH]
Datasheet
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4255
Wesentliche Merkmale
• Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
• Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
• IR-Datenübertragung
• Sensorik
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte,
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4255
1)
2009-05-14
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
nicht
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A2467
sichtbare
Infrarot-
Strahlstärkegruppierung
Radiant Intensity Grouping
I
>10 (typ. 15)
e
(mW/sr)
1
Features
• High Power Infrared LED
• Short switching times
Applications
• Infrared Illumination for CMOS cameras
• IR Data Transmission
• Optical sensors
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
1)
(
1)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)

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SFH4255_12 Summary of contents

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IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 Wesentliche Merkmale • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung • Kurze Schaltzeiten Anwendungen • Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras • ...

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T Grenzwerte ( A Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current = 200 μ Stoßstrom Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand ...

Page 3

T Kennwerte ( A Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90 auf 10%, bei = 100 mA, F ...

Page 4

Strahlstärke I in Achsrichtung e gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant Intensity I in Axial Direction solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity 100 mA, = ...

Page 5

Relative Spectral Emission (λ) rel OHF04135 100 % I rel 700 750 800 850 nm 950 λ Forward Current = ( ) μs Single pulse, ...

Page 6

Maßzeichnung Package Outlines Cathode Cathode marking Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). Gehäuse / Package SIDELED Anschlussbelegung siehe Zeichnung Pin configuration see drawing 2009-05-14 (2.4 (0.094)) 1.1 (0.043) 0.9 (0.035) 2.54 (0.100) spacing Anode (1.4 (0.055)) (R1) ...

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Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Design Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Cu-Fläche > Cu-area > Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). 2009-05-14 3.7 (0.146) 1.2 (0.047 Lötstopplack ...

Page 8

Lötbedingungen Soldering Conditions Reflow Lötprofil für bleifreies Löten Reflow Soldering Profile for lead free soldering 300 ˚C 255 ˚C 250 T 240 ˚C 217 ˚C 200 150 100 Ramp Up 3 K/s (max ˚ Wellenlöten (TTW) ...

Page 9

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due ...

Page 10

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