CPH5606 Sanyo Semiconductor Corporation, CPH5606 Datasheet

CPH5606

Manufacturer Part Number

CPH5606

Description

Manufacturer

Sanyo Semiconductor Corporation

Datasheet

1.CPH5606.pdf (5 pages)

Specifications of CPH5606

Case

SOT-153

Date_code

10+

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注文コード No. N※6 4 5 1

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

電気的接続図

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

ドレイン電流（DC）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

チャネル温度

保存周囲温度

[N-channel]

ドレイン・ソース降伏電圧

ドレイン・ソースしゃ断電流

ゲート・ソースもれ電流

ゲート・ソースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

ドレイン・ソース間オン抵抗

・低オン抵抗、超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

・4V 駆動。

1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。

CPH5606

Top view

V DSS

V GSS

I D

I DP

P D

Tch

Tstg

V (BR)DSS I D =1mA, V GS =0

I DSS

I GSS

V GS (off)

R DS (on)1

R DS (on)2

PW ≦ 10 s, duty cycle ≦ 1%

セラミック基板(600mm

N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

CPH5606

V DS =30V, V GS =0

V GS = ± 16V, V DS =0

V DS =10V, I D =1mA

V DS =10V, I D =700mA

I D =700mA, V GS =10V

I D =400mA, V GS =4V

× 0.8mm)装着時 1unit

外形図 2168

(unit : mm)

0.95

N-channel P-channel

2.9

− 55 ∼＋ 150

± 20

N2499 TS IM ◎祝田

1.4

5.6

min

0.4

1.2

0.4

150

0.9

− 30

± 20

230

350

− 1

− 4

typ

1.7

次ページへ続く。

0.15

1 : Drain1

2 : Drain2

3 : Gate2

4 : Source

5 : Gate1

SANYO : CPH5

No.6451-1/5

unit

No.

± 10

℃

max

300

490

0.05

2.4

N2499

※N 6 4 5 1

unit

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