BLF6G10LS-200,118 NXP Semiconductors, BLF6G10LS-200,118 Datasheet - Page 36
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BLF6G10LS-200,118
Manufacturer Part Number
BLF6G10LS-200,118
Description
IC BASESTATION FINAL SOT502B
Manufacturer
NXP Semiconductors
Specifications of BLF6G10LS-200,118
Package / Case
SOT502B
Transistor Type
LDMOS
Frequency
871.5MHz
Gain
20.2dB
Voltage - Rated
65V
Current Rating
49A
Current - Test
1.4A
Voltage - Test
28V
Power - Output
40W
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Resistance Drain-source Rds (on)
0.06 Ohms
Drain-source Breakdown Voltage
65 V
Gate-source Breakdown Voltage
13 V
Continuous Drain Current
49 A
Maximum Operating Temperature
+ 225 C
Mounting Style
SMD/SMT
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Noise Figure
-
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant, Lead free / RoHS Compliant
Other names
934060895118
BLF6G10LS-200 /T3
BLF6G10LS-200 /T3
BLF6G10LS-200 /T3
BLF6G10LS-200 /T3
I
I
6
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PCF2119
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PCF8531
PCF8533
PCF8534
PCF8535
PCF8562
PCF8563
PCF8566
PCF8570
2
2
C-bus devices (continued)
C-bus devices
Type of function in device
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16
4
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V
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CC
range (V)
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Packages
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LQFP100
DIE
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LQFP80
DIE
LQFP48
TD
VSO40
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TS
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Continued next page
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DP/
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DGG BS
DP
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TK/BS
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